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上期文章我们最后提到了半导体参数，之所以专门挑一篇文章来说，因为它确实比较重要，可以让我们明白当前各种半导体材料的优势与劣势的原因。 不仅如此，还可以让我们明白一些东西，特别是二极管和三极管的一些特性。其实这些问题，如果明白了下面参数的含义，那么也就理解得差不多了。 禁带宽度首先来看禁带宽度，这个参
激光器的漏电流
漏电流，听名字就知道是个比较负能量的一个东西。在半导体领域，二极管在反向截止的时候，并不是完全理想的截止。在承受反压的时候，会有些微小的电流从阴极漏到阳极。这个电流通常很小，而且反压越高，漏电流越大，温度越高，漏电流越大。大的漏电流会带来较大的损耗，特别在高压应用场合。产生的原因:从半导体材料
两种二极管都是单向导电，可用于整流场合。肖特基二极管是一种具有金属-半导体结的电子器件，而普通二极管主要由半导体材料制成。本文将详细介绍肖特基二极管和普通二极管的区别。工作原理肖特基二极管：肖特基二极管是基于金属-半导体结的原理制成的。其核
发光二极管（LED）是一种半导体器件，它的工作原理是通过半导体材料在正向电压下的电子复合和发射光子，从而产生光效应。由于LED具有单向导电性，所以在使用LED时，正确地区分正负极非常重要。本文将介绍几种常见的方法来区分LED的正负极。1.
稳压二极管
稳压二极管也称为齐纳二极管或者是反向击穿二极管，它是利用PN结反向击穿后，在一定反向电流的范围内反向电压不随反向电流变化这一特点，由硅半导体材料采用合金法或扩散法制成的。它既具有普通二极管的单向导电性，又可以在工作于反向击穿状态。
NPN型三极管是一种常用的电子元件，广泛应用于电子电路中。它是一种双极型晶体管，由三个区域组成：发射区、基区和集电区。01NPN型三极管基本结构NPN型三极管由一块P型半导体材料夹在两片N型半导体材料之间组成。其中，夹在中间的P型材料称为基
GaN的欧姆接触实验
GaN材料由于其所具有的优良光电性能,而成为固态照明、数字处理、光电器件、功率器件等半导体材料与器件领域的研究热点。金属与半导体接触可以形成肖特基接触，也可以形成非整流的接触，即欧姆接触。欧姆接触不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。室温下n-GaN的电子亲和势为
第三代半导体材料是指以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的宽禁带半导体材料。具体是指Eg(带隙宽度)≥2.3eV的宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽
霍尔测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。然而在使用霍尔测试仪时，可能遇见鼓包现象，如何分析
半导体激光器是目前为止使用最多的光电子器件之一。随着技术的不断进步和器件量产化能力的提高， 现在能够应用到更多的领域中。半导体激光器是主要使用半导体材料作为工作物质一种的激光器，因为物质结构的不同，产生的激光也会不同。半导体激光器的特点就是体积小、寿命长，除了通信领域，现在也可以在雷达、测声、医疗中
