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MOSFET雪崩击穿机理详解

pn结击穿现象半导体器件的pn结如图1所示。pn结反向偏置时，通过pn结的电流非常小。随着反向偏置电压的增加，一个非常大的电流开始流过一定的电压极限。这种现象被称为反向偏置击穿，发生pn结击穿的电压称为反向击穿电压。形成反偏pn结击穿的物理机制有两种：雪崩击穿和齐纳击穿。图1 半导体pn结示意图雪崩

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半导体器件MOSFET雪崩击穿

MOSFET雪崩击穿机理详解