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作为硬件工程师，不管做什么产品，一般都会用类似下面的PMOS开关电路，而且一般用做电源控制。这个电路看着比较简单，但是呢，在实际应用中，稍不注意的话，可能会出现下面的几个问题：1、PMOS开关开启的一瞬间，前级电源电压跌落，或者直接被拉死2、PMOS开关开启的一瞬间，mos管冲击电流太大，mos管损
上期文章《mos管的安全工作区SOA详解（一）限制线介绍》有详细解释过SOA曲线的各个限制线的具体意义，但是没有举例子具体如何运用，这期就来举例说明，如何判断一个mos管是否工作在SOA区。1、SOA曲线运用的基本步骤下面是我总结的SOA曲线运用的步骤，总共6步：① 测量mos管的电压和电流波形，判
mos管导通和关断过程
最近一直在说mos管的知识，就有朋友留言说能具体说一下mos管的导通和关断过程吗，那我们今天来说一下mos管的导通和关断具体过程。 为了更好的理解mos管的导通和关断过程，我们一般会将电路中的寄生电感忽略掉，下面我们以一个最简单的钳位感应开关模型来说明。 对于MOS的导通过程我们可以
MOS功率损耗
mos管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类： 一类为器件栅极驱动损耗。前面我们说过：MOSFET的导通和截止过程包括电容CISS的充电和放电。当电容上的电压发生变化时，一定量的电荷就会发生转移；需要一定量的电荷使栅极电压在0和VDRV之间变化，变化
mos管基础知识
前面章节讲了mos管的一些特性，就有一些同学留言问能不能讲一下mos管的基础知识，我前面也说了很多有关于MOS的文章，那这一章我们还是简单的说一下mos管的基础知识。 mos管是FET的一种，可以被制作成增强型和耗尽型，P沟道或N沟道类型，在我们开关电源设计时，一般使用的是增强
前面说了一些mos管的知识，就有同学留言说能不能说一下mos管的一些简单使用场合和工作原理，那我们今天来简单说一下，首先我们知道我们的电源从结构来划分的话，可以分为隔离型和非隔离型，那我们今天也将MOS所在的原理图分为隔离和非隔离两类来说明。 下图为不隔离的驱动电路，电
全桥式开关电源解析
今天来讲解一下全桥电路中的一类：全桥逆变线路。按照以往习惯，先上线路原路图：我们可以看到上图是由芯片和4个mos管共同构成的全桥式开关电源输出部分，当时芯片使用的好像是LM27402MHX型号，具体参数有兴趣的小伙伴可以上网查找，我这边只贴出芯片产商推荐外围线路架构图与芯片内部结构原路图，如下图所示
mos管导通和关断过程
最近一直在说mos管的知识，就有朋友留言说能具体说一下mos管的导通和关断过程吗，那我们今天来说一下mos管的导通和关断具体过程。 为了更好的理解mos管的导通和关断过程，我们一般会将电路中的寄生电感忽略掉，下面我们以一个最简单的钳位感应开关模型来说明。 对于MO
在开关电源中，如果我们把整个电源比作人体的话，那么mos管就相当于我们的大脑，相对于大脑对我们人体的控制，mos管同样的对电源的整体输出控制起到了决定性的作用。 关于mos管，有很多的参数，比如耐压值、击穿值、最大额定功率、额定电压等等，我们之前也说了很多关于mos管该
MOS功率损耗
mos管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗，这些损耗可以分为两类： 一类为器件栅极驱动损耗。前面我们说过：MOSFET的导通和截止过程包括电容CISS的充电和放电。当电容上的电压发生变化时，一定量的电荷就会发生转移；需要一定量的电荷使栅极电压在0和VDRV之间变化，变化
