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在电子设计中，mos管（金属氧化物半导体场效应晶体管）作为关键元件，其稳定性直接关系到整个电路的性能和可靠性。但如果遇到mos管雪崩失效，必须提前做好预防措施，那么如何做？1、如何判断mos管是否雪崩失效？①观察电压波形在mos管工作时，使
mos管作为电子电力系统中的核心元件，其稳定性和可靠性是很多工程师的重点之重，其中SOA失效是mos管常见的失效模式之一，主要由于超出其安全工作区域而导致的热损坏或电气击穿，那么如何预防？1、如何判断mos管是否SOA失效？①监测温度：最直
先看一下这个电路：USB外接电源与锂电池自动切换电路设计如果主副输入电压相等，同时要求输出也是同样的电压，不能有太大的压降，怎么设计？这个电路巧妙的利用了mos管导通的时候低Rds的特性，相比二极管的方式，在成本控制较低的情况下，极大的提高了效率。 本电路实现了，当Vin1 = 3.3V时，不管Vi
mos管在电子电路中扮演着重要角色，但其发热问题一直备受关注。所以今天我们来谈谈mos管为什么会有发热问题！1、线性工作状态电路设计不当，使mos管长时间工作在线性区域而非开关状态，导致功率损耗增大，发热严重。2、开关不完全导通N-MOS的
前一段时间有个兄弟问了个问题，把我问住了，问题是这个：如上图，串联的电阻R1到底是放在靠近IC端，还是靠近MOS端？（注意，图中的L1是走线寄生电感，并不是这里放了个电感器件） 我们具体沟通的情况是这样的： 这位兄弟说大部分工程师和IC原厂都是这么做的，但是没有说为什么，我当时也不清楚。但是这个问题
今天来说 两个问题：1、mos管导通电流能否反着流？D到S，S到D方向随意？2、mos管体二极管能过多大的电流？ 为啥会有这两个问题？我们在最开始学习mos管的时候，应该都是从NMOS开始的，电流的方向都是从D到S的。而实际应用电路，NMOS会有电流从S到D的情况，比如下面这个Nmos管防电源反接电
在电子电路中，我们总会需要设计各种电路及功能模块，其中之一是电磁铁，如果想要电磁铁做到简单的吸合与断开，那么选mos管还是继电器？为什么？1、mos管 VS 继电器①mos管优点：快速响应：mos管开关速度快，适合高频操作。低功耗：在导通状
今天开始，聊一聊运放吧，之前很多兄弟们也提了这个要求。正好我最近也想深入看看运放方面的，那么就借这个机会一步一步再搞一搞吧。 运放这个器件相对于电阻，电容，三极管，mos管等器件算是比较复杂的，而且电路中也常用，出问题的情况也多，显然一篇文章根本就说不明白运放，因此，我可能要写很多期。具体多少期，写
1、mos管简介功率MOSFET是电压型驱动器件，输入阻抗高，因而开关速度可以很高。功率mos管的栅极有等效的输入电容CISS。由于CISS的存在，静态时栅极驱动电流几乎为零，但在开通和关断动态过程中，仍需要一定的驱动电流，mos管的开关速度与驱动源内阻抗有关，开关速度不同影响其实际损耗。比较常用的
在电子电路中，总有各种各样功能各异的电路，其中之一是开漏电路，它基于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性，通过特定的连接方式实现特定的电路功能。今天开课讲讲开漏电路是什么！1、开漏电路是什么？①定义：开漏电路是指以MOSFET
