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1、mos管简介功率mosFET是电压型驱动器件，输入阻抗高，因而开关速度可以很高。功率mos管的栅极有等效的输入电容CISS。由于CISS的存在，静态时栅极驱动电流几乎为零，但在开通和关断动态过程中，仍需要一定的驱动电流，mos管的开关速度与驱动源内阻抗有关，开关速度不同影响其实际损耗。比较常用的
在电子电路中，总有各种各样功能各异的电路，其中之一是开漏电路，它基于mosFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的特性，通过特定的连接方式实现特定的电路功能。今天开课讲讲开漏电路是什么！1、开漏电路是什么？①定义：开漏电路是指以mosFET
想设计开漏电路，如何做？
在需要电平转换、逻辑“与”操作或节省IC驱动能力的场合中，开漏电路是最佳选择，因此遇到这些需求，工程师可以选择开漏电路，那么如何设计？1、选择适当的mosFET使用N沟道mosFET，其漏极（D）连接到外部VCC，源极（S）连接到输出端，栅
今天将谈谈这个镇流器电路图，该电路由IC1、TR1、TR2、L1等元件组成，用于输出80V的开关电源。1、电路核心功能是什么？65kHz方波振荡器：IC1的一部分构成，产生65kHz的方波信号。mosFET开关：TR2作为N沟道mosFET
面对一堆分立元件如何布局
想请教一下，电路中是一些分立元件，有三极管，mos管，电容， 电阻，稳压二极管。是应该按照信号的流向摆放元件？还是把同类型的元件先摆放在一起（比如有3个mos管，先把他们摆放在一起？），然后再拉线么？。因为发现如果按照信号的流向摆放元件，然后感觉元件的摆放就杂乱无章。 但是如果把同类型的元件摆放在一
D在RCD吸收的时候，对于二极管的选取，其耐压值为什么要按照vcc供电电压去选取，而不是mos管关断瞬间产生的那个高压？
12V 经mos到充电芯片给电池充电，电池充电温度较高？ 描述: 图示12V 经mos到充电芯片给电池充电 问题: 电池充电温度较高 解决方案: 控制mos管工作在可变电阻区，从而分压，这样充电芯片入口的电压变低，使得充电电流变小 疑问: 可行性如何？
