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1：“无法破解芯片？”今年的hotchips 33 ，密歇根大学的AusTIn教授带来MORPHEUS II。上一个版本的MORPUHES 最早出来的时候，被称作：“无法破解”的芯片，号称580名专家13000个小时尝试均告失败。但是世界上没有绝对的事！AusTIn教授说：“媒体上说芯片无法破解。我
TI-POE培训教程
最近有看到一个TI的关于POE的培训，分享给大家，文末有下载方法。 什么是POE供电？POE供电也称为以太网供电，是一种在以太网中可以通过CAT5双绞线同时传输以太网信号和电力。POE的装置包含两个部分，一个是供电端，Power Sourcing Equipment，简称PSE，常见的产品有交换机，
在开关电源的工作模式中，很多工程师经常会记混CCM（ConTInuous ConducTIon Mode）和DCM（DisconTInuous ConducTIon Mode），然而它们在多种方面存在显著的差异，所以本文将谈谈这两者的区别，
双向晶闸管（BidirecTIonal Thyristor），简称BTR或Bi-SCR，是一种可控硅器件，可以在两个方向上进行导通。它结合了双向导电特性和晶闸管的可控性，能够实现双向控制和双向导通。01双向晶闸管基本结构双向晶闸管的基本结构
旋转位置传感器（Rotary PosiTIon Sensor）是一种用于测量物体旋转角度或位置的传感器。它通常由多个组件组成，包括旋转部分、传感器元件和信号处理电路。01旋转位置传感器主要特点旋转位置传感器的主要特点如下:1. 高精度:能够
虽然处理器核心数量越多，也说明该芯片处理高性能高计算能力更强，然而由于芯片内部限制，现在的处理器核心数最高是192核心，但这个记录或许将要被打破了！近日，Ampere CompuTIng公布了最新路线图，从图中可得知：即将推出的新一代Amp
芯片概述StraTIx® IV 高密度、高性能 FPGA 具有前所未有的系统带宽和功率效率，适用于高端应用，您可借其实现彻底地创新。StraTIx IV 系列器件共有三种优化型号，可满足不同的应用需求。StraTIx IV E (增强型)
碳膜电位器（Carbon Film PotenTIometer）是一种常用的电子元件，用于调节电路中的电压、电流或信号强度。它由一层碳膜覆盖在陶瓷、塑料或金属基座上，并通过可调旋钮进行调节。碳膜电位器具有较好的稳定性、线性度和可靠性，广泛应
概述StraTIx III FPGA系列具有高密度高性能可编程逻辑器件中最低的功耗。StraTIx III FPGA采用了TSMC的65nm工艺技术，其突破性创新包括硬件体系结构提升和Quartus II软件改进，与前一代StraTIx I
StraTIx® 10 FPGA概述StraTIx® 10 FPGA和SoC FPGA大幅提高了性能、功效、密度和系统集成度。StraTIx 10采用创新Hyperflex FPGA架构，将嵌入式多芯片互连桥接器 (EMIB)、高级接口总线
