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引言当今电源设计人员面临着越来越大的压力，需要实现90%、甚至更高的功率转换效率。推动这种发展趋势的因素，包括延长便携式电子器件中的电池续航时间、物联网以及对功耗更低的“更加绿色的”产品的需求。许多设计正在使用GAN或SiC开关器件代替硅FETs和IGBTs。一如既往，产品上市时间压力正不断推动着测
传统硅基器件在高温、高压、高频场景中逐渐力不从心，而碳化硅（SiC）和氮化镓（GAN）作为第三代半导体材料，正以“宽禁带”特性打破物理极限，成为新能源、5G等领域的核心器件。SiC与GAN是什么？SiC（碳化硅）：由碳和硅组成的化合物，禁带
2026年3月，全球功率半导体产业迎来历史性转折点。以碳化硅（SiC）和氮化镓（GAN）为代表的第三代半导体材料，在8英寸量产、大尺寸衬底技术及垂直应用领域实现全面突破，正在重塑从新能源汽车、光伏储能到AI算力的全产业格局。据行业预测，全球
TSX221K是一款X波段全集成单刀双掷（SPDT）开关，专为基于GAN技术的高功率开关应用而设计。TSX221K覆盖500MHz至12.0GHz带宽，在小封装尺寸内提供低插入损耗、高隔离和高线性。TSX221K是一款10W CW开关，峰值
TSL8029N 是一款单通道、集成射频前端多芯片模块，专为多种应用设计。该器件工作频率范围为 2 GHz 至 5 GHz。TSL8029N 配置为级联双级 GaAs 低噪声放大器（LNA）和基于 GAN 的单刀双掷（SPDT）开关。在高增
做过射频功放设计的工程师应该都有这种感受：效率高的功放，线性度往往不理想；线性度好的功放，效率又上不去。这俩就像鱼和熊掌，似乎总也兼得不了。拿5G基站来说吧，现在主流的氮化镓（GAN）功放效率能到50%-60%，比传统的LDMOS高出一大截
