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一、STM32G031K8U6TR 主流微控制器IC MCU 32BIT 64KB Flash 32UFQFPNSTM32G031K8U6TR主流微控制器基于高性能的 Arm® Cortex®-M0+ 32 位 RISC 内核,工作频率高达

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明佳达电子Mandy 2023-11-17 16:36:39
(MCU)嵌入式STM32G031K8U6TR、.CY9AF114LPMC-GE1 32-bit 闪存微控制器

产品描述:SEMPER™ NOR Flash闪存系列是英飞凌高性能、安全而可靠的 NOR Flash解决方案。 它集成了适用于汽车、工业、通信等广泛应用的关键安全功能。 凭借 SEMPER™ NOR Flash闪存,英飞凌推出了业界首款符合

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明佳达电子Mandy 2023-11-24 16:17:50
(工业级)S25HS01GTFABHV030、S25HS512TFABHI013、S25HS512TFANHI010专为功能安全而设计的NOR闪存

一、STM8S105S4T6CIC MCU 8BIT 16KB Flash 44LQFPSTM8S105S4T6C Access Line 8位微控制器提供16KB 闪存程序存储器,以及集成的真数据EEPROM。STM8S105x4/6 A

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明佳达电子Mandy 2023-11-29 16:59:42
嵌入式微控制器 STM8S105S4T6C、STM32G4A1KEU6、STM32L451REY6(MCU)中文规格

在单片机芯片上,如果不考虑出厂固化的ROM空间的话,通常开发者能接触到的存储空间主要分两种:掉电可保存数据的片内Flash和掉电不可保存数据的片内RAM。片内RAM(通常理解为内存)的访问速度比较快,可以按照变量地址随机访问,但断电后数据丢失。片内Flash(通常理解为硬盘)所保存的内容比较固定,主

(9)RT-Thread内存管理学习总结
文章

NAND闪存

NAND闪存是一种电压原件,靠其内存电压来存储数据。市场上主流的掉电还能保存数据的存储芯片主要有,EEPROM,NOR Flash, NAND Flash,EMMC, UFS。  闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET),里面有一个浮置栅极(Floating Gate)

NAND闪存

1、ATSAME54P20A-CTU(SAM E5x)IC MCU 32BIT 1MB Flash 120TFBGASAM E5x 32位Arm® Cortex®-M4F微控制器 (MCU) 采用带浮点单元 (FPU) 的32位Arm Co

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明佳达电子Mandy 2024-01-09 16:13:53
基于32位ARM CPU的 ATSAME54P20A-CTU、ATSAML10D16A-MFT嵌入式微控制器 (MCU)

dsPIC33CH系列数字信号控制器DSPIC33CH128MP503-I/M5 工作温度 -40°C 至 85°CDSPIC33CH128MP503-H/M5 双核 CAN, 36-Pin 128KB FlashDSPIC33CH128M

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明佳达电子Mandy 2024-05-13 16:06:55
优化用于高性能数字电源,DSPIC33CH128MP503-I/M5 DSPIC33CH128MP503-H/M5 DSPIC33CH128MP503-E/M5 数字信号控制器

在现场可编程门阵列(FPGA)的程序开发过程中,程序烧写是不可或缺的重要环节,然而在该环节经常听见JTAG和Flash,在某些情况下,FPGA的程序需要通过这两个方式进行双重烧写。1、FPGA程序烧写FPGA程序烧写是指将开发者编写的硬件描

提问:FPGA的程序烧写为什么要两次?

HBM2E Flashbolt 是先进的内存包产品,提供卓越的带宽功能和下一级能效,所有这些都采用紧凑、易于使用的格式。HBM2E Flashbolt 是一款第三代 16GB HBM2E 产品。它提供更高级别的规格,通过垂直堆叠八层 10

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明佳达电子Mandy 2024-06-17 16:55:29
适用于超级计算和 AI 技术的KHAA84901B-MC16、KHAA84901B-JC17、KHAA84901B-JC16高带宽内存产品

QCC3084 / QCC-3084-0-CSP134A-TR-05-0——专为蓝牙立体声耳机设计的下一代入门级Flash可编程蓝牙音频SoCQCC-3084-0-CSP134A-TR-05-0 是下一代入门级Flash可编程蓝牙音频SoC

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明佳达电子Mandy 2024-06-29 15:19:19
QCC-3084-0-CSP134A-TR-05-0是下一代入门级flash可编程蓝牙音频SoC,QCC3084 SoC专为蓝牙立体声耳机设计