纹波主要在五个方面：输入低频纹波、高频纹波、寄生参数引起的共模纹波噪声、功率器件开关过程中产生的超高频谐振噪声和闭环调节控制引起的纹波噪声。1、低频纹波是与输出电路的滤波电容容量相关。电容的容量不可能无限制地增加，导致输出低频纹波的残留。交流纹经DC/DC变换器衰减后，在开关电源输出端表现为低频噪声，其大由DC/DC变换器的变比和控制系统的增益决定。电流型控制DC/DC变换器的纹波抑制比电压型稍有提高。但其输出端的低频交流纹波仍较大。若要实现开关电源的低纹波输出，则必须对低频电源纹波采取滤波措施

Heterogeneous类型器件由多个Part组成，但是每一个Part的组成部分不一样，多数用于比较复杂的IC类型器件，如FPGA等，对IC属性进行分块设计，方便后期原理图的设计，在创建的时候，每一个Part都需要单独创建。1）同简单分裂元器件的创建一样，首先先点选菜单栏File—New—Library新建原理图元件库，选择.olb文件并执行鼠标右键点击New Part，新建一个元件。在弹出的New Part Properties对话框中修改参数，如图4-24所示。 图4-24 &n

1. 开关电源的几种保护OCP, OLP, OVP, OTP, ESD,UVLO分别是什么意逐周期电流限制保护（OCP），限制最大输出电流；过载保护（OLP），限制最大输出功率；VDD过压保护（OVP），限制最高输入电压；温度保护（OTP），限制工作时的最高温升；ESD静电保护，即静电释放，避免由于静电引起芯片或者电子元件损坏；以及低压关闭（UVLO），欠压锁定，限制最低入输入电压。过压保护开关和过载保护开关有什么区别？1、负载如果是阻性负载，当电源有故障，负载上的电压有可能大幅上升，而电流的上

嵌入式的什么优点让它的应用如此广泛呢？体积优势，高度定制抛开了传统PC计算机或控制机柜的限制，例如我们的手机远远比那这个手提电脑方便，电饭锅旁边也不能放个PC机或者控制柜进行控制啊。在工业领域，寸土寸金，嵌入式占用体积小，省下来的钱能买好多PC机了。嵌入式能保证鲁棒性、稳定性、功耗、能效比，同时维护简单，设计好的系统可以批量生产，优点多得简直甩普通控制系统或PC机好几条街了。嵌入式的发展会如何？可以肯定的说，嵌入式的前景非常大，还有很大的发展空间。从现在的大数据挖掘、人工智能（机器视觉、深度学习

判断一个信号是否为高速信号首先要区分几个误区。误区一：信号周期频率FCLOCK高的才属于高速电路设计其实我们在电路设计时考虑的最高频率往往取决于信号的有效频率（亦称转折频率）Fknee。 如上图信号周期频率与有效（转折）频率定义为：（实际中多数信号）误区二：电容、电感式理想器件在低速领域，电容、电感工作频段比较低，可以认为他们是理想器件。但在高速领域，PCB上的电容电感等已经不能简单的视为纯粹的电容电感了。例如:在低速领域电容我们可以视为断路，而在高速电路中，假设工作频率为F，则电容C

以 MiCron公司容量为512Mb(512兆位),规格为8M×16×4的某款 SDRAM为例,介绍 SDRAM的引脚定义。(1) CLK:时钟信号,为输入信号。 SDRAM所有输入信号的逻辑状态都需通过CLK的上升沿采样确定。(2) (2)CKE:时钟使能信号,为输入信号,高电平有效。CKE信号的用途有两个,其是关闭时钟以进入省电模式,其二是进入自刷新( SELF REFRESH)状态。CKE无效时,SDRAM内部所有与输入相关的功能模块停止工作。在电路设计中需注意,应为C

DC/DC电源指直流变换为直流的电源,从这个定义看,LDO也应归属于DC/DC电源,但一般只将直流变换到直流,且这种转换是由开关方式而实现的电源称为DC/DC电源对于LDO的优点是低噪声低纹波、应用简单、成本低、输入/输出几乎无延时,而缺点是功耗大、效率低、只能用做降压变换、只支持小电流的输出(受散热条件的限制,LDO最大功耗不能超过3W)、无法实现输入/输出的隔离。LDO的这种特性与其内部的晶体管(或 MOSFET)工作于线性区有关。DCDC则基本克服了LDO所具有的缺点,DCDC电源的 MO

(1) VRF滤波由LDO的工作原理可知,Vref(基准电压)的稳定性与LDO输出电源的纹波及噪声密切相关。为了减小器件面积,某些LDO在片内不提供对VREF引脚的滤波。在这种情下，设计者需在VREF引脚附近添加10uF电容,以保证VREF的低噪声和低纹波(2) SENSE(感应)引脚的处理SENSE引脚是LDO、DCDC电源芯片上常见的引脚在PCB上,当电源输出端与负载端相距较远时,输出电源Vout需通过较长距离的PCB导线(或PCB铜皮)才能加载到负载上,由于负载电流流经

MOSFET是DCDC电源电路中最关键的器件之一, MOSFET的正确选型在很大程度上决定了电源电路是否能正常工作。MOSFET和三极管都可作为开关器件,首先简要地对比这两种器件的特性。(1) 三极管器件属于双极型流控器件,为获得大的集电极电流,相应地需注入大的基极电流,且三极管的响应速度在很大程度上受到其内部少数载流子(少子)的影响。而MOSFET属于单极型压控器件,工作时,在栅极上消耗的电流极小,且其工作原理只涉及多数载流子(多子),不受少子的影响,因此其响应速度和功率效率都远高于

电感型升压DCDC转换器的工作过程和工作原理详细说明-信很多电子工程师都会接触到各种各样的电路，根据不同的要求来设计不同的电路，那么很多时候也会接触到DC-DC电路，那么你知道怎么设计吗？那就让我带领大家来学习一下吧。