找到 “4G” 相关内容 条
  • 全部
  • 默认排序

Western Digital 推出SDINBDA6-64G-XI1、SDINBDA6-16G-I1面向工业和物联网应用的嵌入式 eMMC 存储设备。iNAND IX EM132 驱动器基于该公司的 64 层 BiCS3 3D TLC NA

447 0 0
明佳达电子Mandy 2024-03-09 13:06:05
推出SDINBDA6-64G-XI1、SDINBDA6-16G-I1面向工业和物联网应用的嵌入式 eMMC 存储设备

1、ADC32RF83IRRHR双通道 14 位 3GSPS 单 DDC/通道射频采样宽带接收器和反馈 ICADC32RF83 是 14 位 3GSPS 双通道电信接收器和反馈器件,支持输入频率高达 4GHz 及以上的射频采样。ADC32R

317 0 0
明佳达电子Mandy 2024-04-02 13:53:02
(射频器件)ADC32RF83IRRHR、DAC38RF86IAAVR设计用于蜂窝基础设施基站、无线通信等应用领域

虽然5G商用四年多,但人们对5G普及率不如4G,甚至认为5G只是比4G快了许多。当以5.5G为主的5G网络正在普及人们的日常生活中,国家却早早开始研究6G,试图在后续移动战场上继续保持优势。近日,中国移动研究院院长黄宇红接受媒体采访时,披露

2030年中国将进入6G商用时代

2.4GHz/6GHz Wi-Fi 带通滤波器: ACPF-7A24-TR1、ACPF-W065-TR1 产品介绍、特征及应用一、ACPF-7A24-TR1: LTE频段7, 38, 40A和41B共存的2.4GHz Wi-Fi 带通滤波

392 0 0
明佳达电子Mandy 2024-05-06 14:17:20
2.4GHz/6GHz  Wi-Fi 带通滤波器: ACPF-7A24-TR1、ACPF-W065-TR1 产品介绍、特征及应用

芯片概述Stratix® IV 高密度、高性能 FPGA 具有前所未有的系统带宽和功率效率,适用于高端应用,您可借其实现彻底地创新。Stratix IV 系列器件共有三种优化型号,可满足不同的应用需求。Stratix IV E (增强型)

238 0 0
明佳达电子Mandy 2024-05-20 14:05:41
高密度、高性能收发器型(GX)FPGA: EP4SGX110HF35I3G、EP4SGX110HF35C4G、EP4SGX110HF35C3G芯片概述

Stratix V FPGA具有1.6 Tbps串行交换能力,采用各种创新技术和前沿28-nm工艺,突破带宽瓶颈,降低了宽带应用的成本和功耗。Stratix V FPGA系列采用TSMC 28nm高性能(HP)工艺进行制造,提供110万逻辑

243 0 0
明佳达电子Mandy 2024-05-28 13:43:55
具有低功耗12.5 Gbps收发器,5SGSMD4E3H29I4G、5SGSMD4E2H29I2G、5SGSMD4E3H29C4G/FPGA参数

Stratix V 摘要Stratix® V FPGA具有1.6 Tbps串行交换能力,采用各种创新技术和前沿28-nm工艺,突破带宽瓶颈,降低了宽带应用的成本和功耗。Stratix V FPGA系列采用TSMC 28nm高性能(HP)工艺

253 0 0
明佳达电子Mandy 2024-05-30 13:34:25
了解Stratix® V 5SGXEA5H3F35I3LG 5SGXEA5H3F35I4G 5SGXEA5K2F40C1G FPGA系统性能

Stratix V是业内第一款可提供精度可变DSP模块的FPGA,这使得它可提供业内效率最高、性能最好的多精度DSP数据通路和功能,如FFT、FIR和浮点 DSP。Stratix V FPGA的主要性能突破包括:集成66个28Gbps串行收

208 0 0
明佳达电子Mandy 2024-06-01 13:50:06
可编程逻辑IC【FPGA】5SGXEB5R1F40I2G、5SGXEB5R2F40C2G、5SGXEB5R3F40C4G中文参数

Arria® 10 GX是性能最高的中端 20-nm FPGA,具有96个全双工收发器,支持17.4Gbps芯片到芯片数据速率。此外,该FPGA还提供高达 12.5 Gbps 的背板数据传输速率以及多达 115 万个等效逻辑单元。Arria

255 0 0
明佳达电子Mandy 2024-06-12 13:40:55
FPGA芯片参数 10AX115R4F40E3SG、10AX115R4F40I3SG、10AX115R3F40I2LG 采用 20 纳米工艺

SMART DDR3(L) SDRAM组件与行业广泛兼容,并提供x8和x16配置。这些1.35v(DDR3L)和1.5V(DDR 3)器件采用标准78和96引脚网格阵列封装,时钟速度为1866 Mbps,密度为1Gb、2Gb和4Gb。KTD

230 0 0
明佳达电子Mandy 2024-06-13 15:33:41
(存储器)4Gb DDR3(L) SDRAM KTDM4G3C618BGCEAT、KTDM4G3C618BGIEAT动态随机存取存储器