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晶振布局布线错误，应包地打孔走类差分形式变压器出差分线外所有线加粗到20mil以上差分走线不耦合变压器下方所有层挖空铺铜器件布局太近丝印干涉走线不要锐角布线不能从同层器件下方穿过布线尽量短不要绕线布线保持3w间距要求以上评审报告来源于凡亿教
要求一字型或L型布局，相邻器件中心对齐 输出座子要伸出板框一段 电源输入和输出主干道要铺铜处理，信号流向尽量顺畅 Dcdc模块要求单点接地，整条电路GND网络焊盘连接到芯片下方统一打孔接到底层 大电感下方所有层挖空铺铜处理 此处是反馈引脚，
产品简介：ADuM1240/ADuM1246是采用iCoupler® 技术的微功耗双通道数字隔离器。 这些隔离器件将高速CMOS与单芯片空芯变压器技术融为一体，具有优于光耦合器件等替代器件的出色性能特征，而所需功率低于任何现有隔离产品。该系
差分等长错误：1.尽量在引起不等长端绕线 2.差分对内等长绕线高度和间距不规范地址线要单根包地打孔处理tx、rx分别建立等长组等长，两组走线之间保持4w间距，有空间单组包地或两组包地以上评审报告
注意铺铜这种尖角直角都优化下，都要钝角：cutout放置好一点不要重复了，每个电感内部放置一个挖空就可以了：铜皮扇孔以及焊盘扇孔都要处理对齐：没有连接：都注意LDO电源信号的扇孔对齐：以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审
在单片机芯片上，如果不考虑出厂固化的ROM空间的话，通常开发者能接触到的存储空间主要分两种：掉电可保存数据的片内FLASH和掉电不可保存数据的片内RAM。片内RAM（通常理解为内存）的访问速度比较快，可以按照变量地址随机访问，但断电后数据丢失。片内FLASH（通常理解为硬盘）所保存的内容比较固定，主
注意铜皮不要直角，都要钝角：电感内部除了焊盘其他的空间挖掉：反馈信号8-12MIL就可以了：其他的没什么问题。以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班课程可以访问链接或扫码联系助教：https://ite
电感底部不要放置器件：可以吧电阻电容放置到中间IC的底部。电感内部也需要挖空处理：DCDC电源主干道建议铺铜处理满足其载流大小：LDO 电路部门扇孔注意过孔对齐：走线不要直角：LDO电源信号尽量拉出焊盘就加粗，不要拉出很多之后再去加粗：以
电感所在层的内部需要挖空处理2.此处过孔不满足载流3.注意走线不要走直角，尽量钝角4.过孔不要上焊盘5.电感下面尽量不要放置器件和走线6.注意电源网络需要再底层铺铜进行连接7.反馈要从最后一个电容后面取样，走10mil8.滤波电容需要靠近管
差分对内等长凸起高度不能超过线距的两倍差分走线不满足差分阻抗间距要求3.光口模块座子下面需要所有层挖空处理4.后期自己在电源层铺铜尽量连接差分出线方式需要再优化一下跨接地旁边可以尽量多打地过孔以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班
