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差分线处理不当,锯齿状等长,凸起高度不得超过线距的两倍2.此处铜皮到铜皮的间距最少20mil3.变压器下面需要所有层挖空4.线宽尽量保持统一5.注意数据线等长需要满足3W间距规则6.地址线也要满足3W规则7.反馈路劲需要从滤波电容后面取样8

90天全能特训班15期AD-小吴-达芬奇作业评审报告

VGA的模拟信号需要加粗2.数据线等长需要满足3W规则3.地址线也需要满足3W规则4.挖空电感所在层即可5.变压器除差分之外其他的信号都需要加粗20mil6.外壳地和GND的间距最少需要20mil7.网口差分需要进行对等长,误差为5mil8

90天全能特训班1期AD-杨帆-达芬奇作业评审

数据线等长需要满足3W规则2.地址线也需要满足3W规则3.差分线处理不当,锯齿状等长,凸起高度不得超过线距的两倍4.电感所在层的内部需要挖空处理5.座子需要放置在板边6.器件摆放不要遮住一脚标识7.注意过孔需要盖油处理10.DDR的VREF

90天全能特训班16期AD-程顺斌-4DDR作业评审报告

说明STM32F7 32 位 MCU+FPU 基于高性能的 ARM®Cortex-M7 32 位 RISC 内核®,工作频率高达 216MHz。Cortex®-M7 内核具有单浮点单元(SFPU)精度,支持所有 ARM® 单精度数据处理指令

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明佳达电子Mandy 2023-02-14 10:42:02
STM32F769AIY6TR微控制器 基于高性能的ARM Cortex-M7 MCU

电感所在层内部需要挖空处理2.滤波电容摆放应该先大后小3.差分线处理不当,锯齿状等长,凸起高度不得超过线距的两倍4.数据线等长需要满足3W规则5.地址线也要满足3W规则6.此处不满足载流,VREF电源最少需要加粗到15mil7.此处走线需要

90天全能特训班16期AD-程顺斌-2DDR作业评审报告

带你干所在层的内部需要挖空处理2.天线做隔层参考,需要挖空第二层3.差分对内等长处理不当,锯齿状凸起高度不能超过线距的两倍4.晶振需要走内差分,并包地,多打地过孔5.注意数据线等长需要满足3W规则6.地址线也需要满足3W规则7.网口差分需要

90天全能特训班15期ALLEGRO-王敏鹏-H3-TVBOX作业评审

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