为了将自然界的模拟信息输入到象计算机那样的数字电路，需要将信息数字化（模拟信号→数字信号）。进行"模拟信号→数字信号"转换的是A/D转换器，A/D转换器按时间有规律地读取（采样）输入信号，并将其转换成用"0"和"1"表现的数值（2进制）。而整数只能表示直线上的特定点，就象是数字。于是，我们把处理连续信息的 —— 模拟信号的电路称作"模拟电路"，把处理离散信息 —— 数字信号的电路称作"数字电路​"。

可将混有高频电流和低频电流的交流电中的高频成分旁路滤掉的电容，称做“旁路电容”。 对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除。    去耦电容是电路中装设在元件的电源端的电容，此电容可以提供较稳定的电源，同时也可以降低元件耦合到电源端的噪声，间接可以减少其他元件受此元件噪声的影响。   去耦和旁路都可以看作滤波。去耦电容相当于电池，避免由于电流的突变而使电压下降，相当于滤纹

并联终端匹配是最简单的终端匹配技术：通过一个电阻R将传输线的末端接到地或者接到VCC上。电阻R的值必须同传输线的特征阻抗Z0匹配，以消除信号的反射。如果R同传输线的特征阻抗Z0匹配，不论匹配电压的值如何，终端匹配电阻将吸收形成信号反射的能量。终端匹配到VCC可以提高驱动器的源的驱动能力，而终端匹配到地则可以提高电流的吸收能力。

串联终端匹配技术，也称之为后端终端匹配技术，不同于其它类型的终端匹配技术，是源端的终端匹配技术。串联终端匹配技术是在驱动器输出端和信号线之间串联一个电阻。驱动器输出阻抗R0以及电阻R值的和必须同信号线的特征阻抗Z0匹配。对于这种类型的终端匹配技术，由于信号会在传输线、串联匹配电阻以及驱动器的阻抗之间实现信号电压的分配，因而加在信号线上的电压实际只有一半的信号电压。

戴维南终端匹配技术或者也叫做双电阻终端匹配技术，采用两个电阻来实现终端匹配，R1和R2的并联组合要求同信号线的特征阻抗Z0匹配。R1的作用是帮助驱动器更加容易地到达逻辑高状态，这通过从VCC向负载注入电流来实现。与此相类似，R2的作用是帮助驱动器更加容易地到达逻辑低状态，这通过R2向地释放电流来实现。

二、模拟电路​与数字电路之间的区别模拟电路是处理模拟信号的电路；数字电路是处理数字信号的电路。模拟信号是关于时间的函数，是一个连续变化的量，数字信号则是离散的量。因为所有的电子系统都是要以具体的电子器件，电子线路为载体的，在一个信号处理中，信号的采集，信号的恢复都是模拟信号，只有中间部分信号的处理是数字处理。具体的说模拟电路主要处理模拟信号，不随时间变化，时间域和值域上均连续的信号，如语音信号。而数字信号则相反，是变化的，数字信号的处理包括信号的采样，信号的量化，信号的编码。

往往说晶振是数字电路设计的关键，便是由于全部的数字电路设计都需要一个好的工作时钟信号，最普遍的便是用晶振来处理，可以说要是有数字电路设计的地方就可以看到晶振。 大家常说的晶振，包括两种，一种需要加驱动电路才可以产生频率信号，这类晶振叫晶振谐振器，例如普遍的49S封装、两脚封装的SMD32255032、小量四脚SMD封装。一种无需加驱动电路，只需要再加工作电压信号，就可以产生频率信号，这类称为晶振振荡器，大部分全是4脚封装，带有开关电源脚位、地脚位、频率輸出脚位等。

1、智能仪器单片机具有体积小、功耗低、控制功能强、扩展灵活、微型化和使用方便等优点，广泛应用于仪器仪表中，结合不同类型的传感器，可实现诸如电压、电流、功率、频率、湿度、温度、流量、速度、厚度、角度、长度、硬度、元素、压力等物理量的测量。2、工业控制单片机具有体积小、控制功能强、功耗低、环境适应能力强、扩展灵活和使用方便等优点，用单片机可以构成形式多样的控制系统、数据采集系统、通信系统、信号检测系统、无线感知系统、测控系统、机器人等应用控制系统。

单片机MCU现阶段各种各样作用高宽比的融合早已变成电子设备的命运,如如今的手机上就将通讯、PDA、GPS、电视机等集成在一起,要防止相互之间的影响,必须电源也随着更改。在其中模拟IC约占集成电路市场规模的15％上下，17年市场规模大概为531亿美元。模拟IC和数字IC尽管同归属于集成电路，但处理信号种类和制造行业特性却具备很大区别。依据处理信号不一样，集成电路可分为模拟IC和数字IC，处理信号为模拟信号的集成电路均可定义为模拟IC。

电源平面的处理，在PCB设计中占有很重要的地位。在一个完整的设计项目中，通常电源的处理情况能决定此次项目30%-50%的成功率，本次给大家介绍在PCB设计过程中电源平面处理应该考虑的基本要素。1、 做电源处理时，首先应该考虑的是其载流能力，其中包含2个方面。a) 电源线宽或铜皮的宽度是否足够。要考虑电源线宽，首先要了解电源信号处理所在层的铜厚是多少，常规工艺下PCB外层（TOP/BOTTOM层）铜厚是1OZ（35um）