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CRC（循环冗余校验），是一种根据网络数据包或计算机文件等数据产生简短固定位数校验码的一种信道编码技术，主要用来检测或校验数据传输或者保存后可能出现的错误。它是利用除法及余数的原理来作错误侦测的。关于CRC校验的实验原理这里不再赘述，百度上有很多的解析，本篇博文主要讲解在LabVIEW环境中如何实现
Mentor PADS如何保存元件类型到库中使用Mentor PADS软件导网表设计时经常会出现缺失元件类型的报错，那么如何解决这个报错呢？一般是缺少元器件导致，这个时候如果你有一个现有的原理图，可以对齐元件类型保存到库中，从而解决这个问题
器件布局应该在BGA上对应焊盘的方向，尽量缩短走线，2.差分对内等长Space的高度是1倍到2倍间距的高度。3.差分包地应该尽量包过来4.走线在焊盘中应该和焊盘保存等宽5.包地线很长一段走线没有打孔。以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PC
电子人都知道，高精度芯片的保存是浩大的工程，不仅烧钱还费心血，若是稍有不慎，很容易造成高精度芯片报废，因此很多企业都会在芯片保存方面下功夫。近日，安徽省量子计算工程研究中心宣布成功研制中国首个量子芯片高真空存储箱，并已投入使用，科研人员将其
数据中心确实是数字时代默默无闻的主力。它们不仅代表着推动数字经济发展的基础设施平台，还负责管理为组织决策提供信息、支持生活方式和社区的千兆数据。它们容纳了存储、处理、保护和共享关键数据和信息的硬件，使其安全保存或自由地从A点到B点到C点……
Cadence allegro学习笔记第一节 启动与板框的制作1、启动操作启动PCB Editor图标，弹出对话框后选择Allegro PCB Designer后择OK进入界面。 选择File文件菜单选择New新建弹出下面对话框。设置保存路径、输入文件名称、选择Board后选择OK
在单片机芯片上，如果不考虑出厂固化的ROM空间的话，通常开发者能接触到的存储空间主要分两种：掉电可保存数据的片内FLASH和掉电不可保存数据的片内RAM。片内RAM（通常理解为内存）的访问速度比较快，可以按照变量地址随机访问，但断电后数据丢失。片内FLASH（通常理解为硬盘）所保存的内容比较固定，主
NAND闪存
NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。市场上主流的掉电还能保存数据的存储芯片主要有，EEPROM，NOR FLASH, NAND FLASH，EMMC, UFS。 闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)，里面有一个浮置栅极(Floating Gate)
走线需要优化，同网络的线也要保存3w差分对内不等长很多地方数据线不满足3w以上评审报告来源于凡亿教育90天高速PCB特训班作业评审如需了解PCB特训班课程可以访问链接或扫码联系助教：https://item.taobao.com/item.
CMOS全称是Complementary Metal-Oxide-Semiconductor。中文学名为互补金属氧化物半导体。 在计算机领域，CMOS常指保存计算机基本启动信息（如日期、时间、启动设置等）的芯片。有时人们会把CMOS和BIOS混称，其实CMOS是主板上的一块可读写的并行或串行
