扫码关注
- 全部
- 默认排序
一、mos管栅源下拉电阻的作用MOS是电压驱动元件，对电压很敏感，悬空的G很容易接受外部干扰使MOS导通，外部干扰信号对G-S结电容充电，这个微小的电荷可以储存很长时间。在试验中G悬空很危险，很多就因为这样爆管，G接个下拉电阻对地，旁路干扰
电路小课堂，总结一下常用的电平转换电路。前言一、二极管电平转换电路电路分析二、三极管电平转换电路2.1 电路一电路分析2.2 电路二电路分析三、mos管电平转换电路电路分析四、电平转换芯片结语前言电路小课堂时间到，今天我们要聊的是 电平转换电路。 那么什么是电平转换？为什么需要电平转换？简单说明一下
关于mos管驱动电路设计，本文谈一谈如何让mos管快速开启和关闭。一般认为MOSFET（mos管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在mos管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为mos管的结
AP8861 一款宽电压范围降压型 DC-D 电源管理芯片，内部集成使能开关控制、基 准电源、误差放大器、过热保护、限流保 护、短路保护等功能，非常适合宽电压输 入降压使用。 AP8861 带使能控制，可以大大节省外 围器件，更加适合电池场
关于mos管驱动电路设计，本文谈一谈如何让mos管快速开启和关闭。一般认为MOSFET（mos管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在mos管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为mos管的结
此芯片采用单点接地，输入输出的地都连接在芯片中间进行回流，其他地方不要打孔2.输入输出主干道尽量一字型布局3.mos管尽量放置在输出路劲上4.走线可以在优化一下，尽量不要有直角5.散热焊盘上的过孔需要双面开窗处理，底层焊盘中间也需要开窗以上
mos管和双极型晶体管（BJT）是常见的两种晶体管器件，它们在工作原理、结构以及性能上存在明显差异，本文将对其进行比较分析。如果您对即将涉及的内容感兴趣，那么请继续阅读下文吧，希望能对您有所帮助。结构BJT有三个区域：发射区（Emitter
一、mos管输入电阻很高，为什么一遇到静电就不行了？mos管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿一般分为两种
mos管能否被静电击穿？
作为电子工程师，想必对mos管（金属氧化物半导体场效应管）不陌生吧，mos管在多种电路非常重要，但在实际应用中可能会存在一定的风险，其中之一就是静电击穿，下面我们来看看，mos管是否能被静电击穿？1、什么是静电击？一般来说，静电击穿是指由于
开关电源变压器设计
小编推荐值得一看的书单电力电子技术与新能源推荐书单合肥工业大学-张兴-高等电力电子技术-风力发电最经典mos管电路工作原理及详解没有之一SiC Power Module Packaging Design High Electrical and Therma[视频]逆变器Inverters, How
