- 全部
- 默认排序
D在RCD吸收的时候,对于二极管的选取,其耐压值为什么要按照vcc供电电压去选取,而不是mos管关断瞬间产生的那个高压?
12V 经mos到充电芯片给电池充电,电池充电温度较高? 描述: 图示12V 经mos到充电芯片给电池充电 问题: 电池充电温度较高 解决方案: 控制mos管工作在可变电阻区,从而分压,这样充电芯片入口的电压变低,使得充电电流变小 疑问: 可行性如何?
D在RCD吸收的时候,对于二极管的选取,其耐压值为什么要按照vcc供电电压去选取,而不是mos管关断瞬间产生的那个高压?
12V 经mos到充电芯片给电池充电,电池充电温度较高? 描述: 图示12V 经mos到充电芯片给电池充电 问题: 电池充电温度较高 解决方案: 控制mos管工作在可变电阻区,从而分压,这样充电芯片入口的电压变低,使得充电电流变小 疑问: 可行性如何?