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DCDC电源与LDO电源的比较

DC/DC电源指直流变换为直流的电源,从这个定义看,LDO也应归属于DC/DC电源,但一般只将直流变换到直流,且这种转换是由开关方式而实现的电源称为DC/DC电源对于LDO的优点是低噪声低纹波、应用简单、成本低、输入/输出几乎无延时,而缺点是功耗大、效率低、只能用做降压变换、只支持小电流的输出(受散热条件的限制,LDO最大功耗不能超过3W)、无法实现输入/输出的隔离。LDO的这种特性与其内部的晶体管(或 mosFET)工作于线性区有关。DCDC则基本克服了LDO所具有的缺点,DCDC电源的 MO

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DCDC电源LDO电源

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DCDC电源电路中 mosFET的应用要点

mosFET是DCDC电源电路中最关键的器件之一, mosFET的正确选型在很大程度上决定了电源电路是否能正常工作。mosFET和三极管都可作为开关器件,首先简要地对比这两种器件的特性。(1) 三极管器件属于双极型流控器件,为获得大的集电极电流,相应地需注入大的基极电流,且三极管的响应速度在很大程度上受到其内部少数载流子(少子)的影响。而mosFET属于单极型压控器件,工作时,在栅极上消耗的电流极小,且其工作原理只涉及多数载流子(多子),不受少子的影响,因此其响应速度和功率效率都远高于

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DC电源mosfet

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英飞凌Optimos?源极底置功率mosFET系列新添PQFN封装的40 V装置

英飞凌Optimos?源极底置功率mosFET系列新添PQFN封装的40 V装置-Optimos SD 40 V低电压功率 mosFET 提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。

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电路之家 2017-01-01 00:00:00

英飞凌OptiMOS?源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置

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东芝推出新款采用PWM控制的双H桥直流有刷电机驱动IC，推荐应用为移动设备和家用电器

东芝推出新款采用PWM控制的双H桥直流有刷电机驱动IC，推荐应用为移动设备和家用电器-东芝的新一代Dmos工艺让TC78H660FNG能够在最大额定值为18V／2.0A［1］时实现低至0.48Ω的导通电阻，较东芝的现有产品发热更低。

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电路之家 2017-01-01 00:00:00

东芝推出新款采用PWM控制的双H桥直流有刷电机驱动IC，推荐应用为移动设备和家用电器

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DC/DC电源调制方式

DCDC电源属于斩波类型,即按照一定的调制方式,不断地导通和关断高速开关(由mosFET构成),通过控制开关通断的占空比例,可以实现直流电源电平的转换。DCDC电源的调制方式有三种:PWM方式、PFM方式、PWM与PFM的混合方式。其中,PWM是最为常见的调制方式。PWM指脉冲宽度调制( Pulse Width Modulation),PFM指脉冲频率调制(PuleFrequency Modulation).PWM采用恒定的开关频率,通过调节脉冲宽度(占空比)的方法来实现稳定电源电压的输出。在P

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DCDC电源PWM