课程标题：DDR3内存信号方针与电源完整性PCB仿真技术深度培训教程

课程介绍： 探索高级PCB设计的世界，掌握DDR3信号仿真、高速信号完整性分析以及电源管理的深层技巧。本课程涵盖从System SI DDR3信号仿真到电源平面VRM模型建立，再到HI3516核心板的电热混合仿真，为您提供全面的技术指导。学习如何使用专业工具进行S参数提取、时序分析、电源网络优化，以及如何解读仿真报告，确保您的设计满足最严苛的行业标准。无论您是PCB设计新手还是希望提升技能的专业人士，本课程都将是您技术进阶的不二之选。

课程目录：

仿真_高阶243-274部分

A243: System_SI_DDR3信号仿真和时序分析的方法&与PowerSI和SPEED2000联合进行时域信号分析的流程方法讲解

A244:System_SI_DDR3信号仿真和时序分析的方法&分配信号互联模型的方法&搭建传输信号仿真BLOCK逻辑信号链路实现系统级互联的分析

A245:System_SI_DDR3信号仿真和时序分析的方法&生成和输出报告的方法&输出的时序建立时间和保持时间的时序报告&利用向导模板搭建仿真分析链路

A246:System_SI_系统级分析工具并行和串行分析向导模板使用方法&AC瞬态仿真链路搭建&利用向导框架程序快速搭建高速信号方法流程讲解

A247:P4080DDR34P实例文件关键元件的CPU和内存元件简讲&参考铜皮的转换DRC错误的处理&FLY拓扑结构框架布线的解读&熟悉PCB的设计

A248:BRD文件载入和层预览显示与布局布线检查&层叠和材料参数设置&电源和信号的归类相关网络的信号流向归类

A249:电源平面VRM模型的建立和赋予平面的参数设置&相关元件的模型建立和模型匹配使能网络的选择&短接VRM的输入便于平面的DC直流属性抽取 

A250:电源平面VRM模型的建立和赋予平面的参数设置&U1703芯片1V5和0R75V的带电源模型添加&电源平面电容模型的创建和参数分析赋予库电容模型

A251:电容元件模型的检查和查找核对平面对应的相关模型匹配&电容库的使用和匹配管理方法&实例PCB平面电容模型添加

A252:电阻关联网络的分析和电阻模型的设置&端接VTT电压排阻模型的创建编辑&仿真信号传输链路的连通性检查讲解

A253:互联关系传输线的模型检查&电阻网络和关联信号网络模型设置&网络属性的检查和耦合系数的设置&电压网络的分类设置讲解

A254:创建信号仿真的PORT端口&创建TX发送和RX接收与端接VTT的端口模型&检查模创建端口的连通性特征

A255:VTT排阻的手动创建添加方法&PORT的互联检查&相关关联网络的端口查找和补缺&信号相关端口的属性检查和完整性检

A256:电源返回平面和电压伏数的设置&信号耦合系数和耦合信号上升沿时间的设置&提取频率属性的设置&端口提取错误的检查和排除处理提取S参数

A257:S参数的提取结果的分析S11&S21的特征分析评估&头文件CKT与BNP和TS结果保存&TS文件的结果比较大仿真使用BNP的结果

A258: System_SI_创建DDR的信号互联仿真工程&手工搭建DDR3仿真BLOCK链路图&建立仿真信号互联框架

A259:BLOCK框图控制器IBIS模型关联&BNP带耦合参的S参数文件带入PCB框图BLOCK关联和预览结果

A260:关联控制器模型到PCB模型&按照信号的类型建立信号分析分组&创建地址组&控制组&数据组的信号分组和参考时钟

A261:关联控制器模型到PCB模型&控制器U100关联到PCB映射网络的连接设置&手动和自动创建的信号关联&关联错误的解决和处理

A262:内存芯片IBIS模型的解读和BLOCK模型关联&将内存芯片关联到PCB映射网络端口的连接手动和自动设置&VRM关联的处理讲解

A263:关联信号仿真链路的检查&设置信号进行写操作1066MHZ频率下数据仿真设置&解读手册填写建立时间保持时间参数讲解

A264: Driving信号的建立时间和保持时间设置&Receiving最小建立和保持时间的参数设置&CLK&DQS的相对建立保持时间设置&仿真转换模型的DDR3_40模型选择

A265:仿真参数的配置选择TYP&理想电源平面下的写操作设置&仿真的速率设置&激励码参数设置内存的控制颗粒有效性设置

A266:内存的参数设置与选择方法&内存的接收模型&信号网络NET连通性检查&检查开路&短路&信号&执行信号分析

A267:仿真参数优化设置&执行信号分析&8位数据线仿真结果分析&眼图模板的使用的信号质量的解读&VIH&VIL&眼图宽度分析

A268:DQS和DQ的对应关系&先有数据DQ在数据处于保持状态的时候DQS出输出锁存信号之后被所存到内存中&设置参数输出DDR3的仿真报告

A269:DDR3时序报告的解读&仿真设置的参数查阅和信号结果分析&下冲和过冲信号的测量幅度和余量解读

A270:DDR3时序报告的解读&最差的过冲和下冲信号余量情况解读&TDS建立时间和保持时间TDH的参数结果解读

A271:DDR3时序报告的解读&最差的建立设计和保持时间&最佳的眼高&信号延迟传输的时间结果解读&建立时间和保持时间的时序关系与标准

A272:DDR3分析报告中参数的定义&系统应用场景在系统级仿真建立互联的方法讲解

A273:DDR3时序报告的解读&DDR3相关标准中眼图数据和相关定义参的说明&信号进行DDR3互联的方法

A274: System_SI系统调用SPEED2000和PowerSI进行SPICE模型提取和S参数的优缺

仿真_高阶275-309部分

A275:DQ数据线时域信号质量评估&信号眼图的查看评估&U101的信号质量高于U104的信号质量&信号过冲下下冲信号质量对比

A276:数据线信号高电平和低电平特性分析&信号的幅度情况对比&DQS&DQSB信号的质量评估&CLK信号质量对比

A277:数据线U100芯片信号质量解读&信号眼图DQS的信号幅度不足&信号存在单调性的问题眼图的眼宽小信号质量较差

A278:数据线U100芯片信号质量分析解读&设置输出生成DDR3的仿真报告&信号仿真报告的结果解读分析.

A279:数据线信号眼宽解读分析&内存芯片的建立时间和保持时间参数解读&最佳时序报告&信号建立时间不足的分析&解读报告文件

A280:数据线最佳眼图和眼高的测量方法&信号延迟报告的测量和数据文件设置解读分析&建立

时间报告参数解读

A281:VTT地址线端接的模型设置和SPICE模型的编写方法&VTT排阻模型的关联设置电路关联设置

A282:地址线U104的质量分析评估&VIH和VIL信号的对比&数据数据报告文件中解读&高电平幅度不足&信号的眼图眼宽分析

A283:控制线结果评估解读&时域信号控制线结果的分析&VTT端接对地址线的信号质量影响&进行多参数符合扫描的设置方法&设置多多参数进行扫描

A284:DDR3控制线仿真结果解读分析&眼图的眼宽的分析&信号的建立时间和保持时间&TIS和TIH的时间测量标准&信号的判断标准和测量结果

A285:3DWorkbench_USB连接器3D全波场参数提取评估&3DWorkbench作用和软件界面和操作方法讲解

A286:3DWorkbench中绘联合体图形的方法&进行立体结构体的设计联合绘制方法&软件的基础操作方法

A287:提取电参数设置&导入STEPUSB连接器模型&导入文件的解读&材料的设置和连接器的结构解读材料设置

A288:金属结构体材料的设置&坐标体系的设置&材料库的导入&点击添加信号网络的方法&创建端口的方法和设置

A289:创建连接器上接口的导体的金属边界PEC&创建垂直的PORT适量PORT端口&垂直端口适量方向添加的方法技巧

A290:创建连接器下接口的导体的金属边界PEC&创建垂直的PORT适量PORT端口&垂直端口适量方向添加的方法技巧&信号流动的方向

A291:创建分析条件边界ABC&实体的边界框将需要分析的所有导体框选住&避免电磁泄露&每个面实体都需要设置边界场

A292:电气仿真参数的频率设置&近场和远场扫描频点的分析参数设置&全波场错误检查和分析错误排除修改方法

A293:全波场执行S参数提取和远近场结果分析提取&生成仿真结果&生成S参数结果解读&远场和近场的结果解读&电场分布和场强分析

A294:全波场电场强分布&磁场密度分布&PEC金属下的电磁场分布和条件边界ABC下的电磁场分布&材料表面下的磁场密度强度分析

A295:全波场空气里面的场强分布和强度&三维远场参数的结果分析和辐射的分析结果解读&FCC的辐射场结果和近远场分布分析

A296: SYSTEM_SI_HDMI高速互联端口信号仿真分析&PowerSI_HI3798实例TX差分信号S参数模型抽取.

A297:S参数结果分析&回波损耗和插损信号质量解读&差分线差模共模噪声分析解读&BNP结果保存

A298: SYSTEM_SI_建立HDMI分析BLOCK模型互联&带入BNP的结果文件建立S参数的互联关系

A299:TX激励模型的设置&RX接收模型的设置&HDMI对比规范模板中的DC直流参数&AC交流特性分析参数&工程目标参数

A300:规范模板详解&模型中对各种分析指标的定义&信号资料的评估结果和参数的定义标准&TP1的测量方法&执行仿真

A301:TP1处的仿真结果结果解读和分析&直流的特性结果&交流的特性结果&上升沿和下降沿时间的计算结果解读

A302:TP1处的仿真结果结果解读和分析&AC交流特性结果分析&组内的延迟时间&组和组之间的时间差距&是时钟最大最小结果&抖动的结果和眼图模板对比

A303:TP1处的仿真结果结果解读和分析&工程结果SDD21插入损耗结果分析&延迟时间标准分析&近端和串扰的分析标准对比结果

A304:TP1处树的测量对比报告&显示测量对比报告的结果显示&眼图的分析结果&噪声的分析结果&误码率的分析结果&三维眼图的分析结果

A305:10G高速串行信号仿真实例&TYPEC互联PCB信号解读&PowerSI下BRD文件的导入和叠层阻抗参数设置

A306: PowerSI下材料和铜皮参设修改设置&PORT网络端口设置信号分析&提取端口的设置和修改

A307:仿真参设设置&S参仿真结果解读&信号的反射系数和传输系数从提取效果来看不够理想&信号有反射且损耗较大

A308:对信号的传输链路进行TDR_TDT的传输阻抗分析&发现传输线阻大&BNP文件带入SYS-TEM_SI搭建10G信号仿真链路

A309:10G高速串行信号仿真实例&10G仿真结果分析&S参数带入后传输效果不好&信号在10G的反射加大&差分线的仿真结果对比标准不合格

仿真_高阶310-385部分

A310:从新更换文件提取S参数&从新构建10G的信号仿真链路进行信号仿真&执行仿真分析仿真结果

A311:10G高速串行信号仿真流程详述&建立仿真链路搭建信号分析BLOCK模型&进行10G高速信号仿真链路和通用方法

A312: PowerDC直流压降电热混合仿真&端到端的电压降余量确保电源网络稳定供应&仿真流程的和设置过程的预览简讲

A313: PowerDC_HI3798CV2DMB实例DDR3部分PCB文件布局布线网络设置解读&DDR电源网络区域负载和供电系统解读分析

A314: PowerDC压降仿真分析流程和设置过程讲解&详述电压降仿真中所涉及到的各个参数的设置流程方法和需要执行的步骤

A315:PowerDC直流分析中功率和电压电流的关系&欧姆定律的使用&电回路里面存志的压降对SINK的影响

A316: PowerDC_HI3798CV2DMB实例导入参数的设置&DARM1V5电源的流向分析&分析区域网络的PCB裁剪设置

A317:PowerDC_HI3798CV2DMB实例&VRM的输入电源设置&VRM输入和Sink负载设置&电源负载网络的分配设置

A318:PowerDC_HI3798CV2DMB实例&DARM1V5电源网络流向解读&电仿真规则设置和观测点设置

A319: PowerDC_HI3798CV2DMB实例&自定义电气规则的设置和解读&执行仿真电气仿真结果的解读&每个层的电压降余量查看

A320: PowerDC_HI3798CV2DMB实例&VRM总功率计算&平面压降损耗&电流分布密度&电源损耗分析&输出电压降仿真报告进行解读和参数分析及优化思路

A321: PowerDC_HI3798CV2DMB实例&电源Block的结果解读&平面电路的密度查看分析&功耗的情况&负载电压降余量的情况分析

A322:HI3516核心板和底板实例原理图和PCB讲解&原理图PORER_TREE的和PCB布局互联电源网络互联讲解

A323:HI3516核心板PCB芯片和布局识图&电路板的元件布局位置和关键元件讲解&电源网络归类设置&铜皮的转换和DRC状态更新&导入文件转换和转换参数设置

A324:HI3516核心板PCB叠层Plane转换设置&PowerDC_建立工程和文件的转换设置&电热混合仿真软件流程的详细讲述&电热仿真参数设置

A325:HI3516核心板导入电路板层叠参数的设置&铜皮参数过孔参数的设置&电源输入和流向解读分析&电源芯片手册参数解读

A326:HI3516核心板J2和J3输入3V3网络使能&电源树的关联单元网络梳理&电源关联网络的使能和参数设置&电源网络归类&电源内的关联无源元件模型分配

A327:HI3516核心板U2转换1V5核心芯片U4和U7与U8电源网络之路分析&相关直流直流中电路网络分布&电源的分配和电源树的应用分析

A328:HI3516核心板&电源系统无源直流电阻网络&磁珠网络&无源关联元件模型的设置&无模型直流网络的设置和分配

A329:HI3516核心板&MP2122芯片1V1核心电压网络设置&分析3V3电源网络互联之路分析&手动创建3V3PowerTree的供电路径创建&J2和J3连接器输入设置

A330:HI3516核心板&U2电源芯片降压1V5的网络设置&分析原理图和PCB互联关系&创建U2降压模型和转换效率&创建电源网络的关联端口

A331:HI3516核心板&U12&U11电源芯片降压1V1网络的关联网络&分析原理图创建芯片转换模型和电源网络端口关联设置&生成PowerTree

A332: PowerTree电源网络各个参数的解读&常见的互联元件模型分配&电容&电阻&电感参数的设置和赋予分配&芯片电流分配

A333: PowerTreeVRM和SINK电流与允许公差设置&U4芯片和相关负载SINK负载电流设置&参考原理图进行电流分配&U2&U11&U12电源芯片等效负载计算

A334: PowerTreeVRM电源电流和误差设置&DSN原理图电源网络核对和参数处理&直流参数检查和保存设置&输出PowerTree结果到电参数设置

A335: PowerTree的读取和添加和载入方法&PowerTree载入后的VRM和SINKS互联参数分析&设置分析电参数模型和电气规则

A336:HI3516核心板&环境温度设置和环境风速计算与设置&热元件使能和元件实体Outline设置

A337:HI3516核心板&热元件IC材料与功率设置&元件功率的计算和设置&U11&U12功率设置

A338:HI3516核心板&U11和U12热等效功率计算方法&热软件散热器的设置和生成方法&热元件关联散热片模型

A339:HI3516核心板&U3和U1两个芯片都是存储器二选一的芯片重叠后报错&排除错误后执行仿真&仿真结果查看解读

A340:HI3516核心板&电气仿真结果和热仿真结果查看&二维三维结果热源分析&导热层预览和热密度分析

A341:HI3516核心板仿真热温度分布查看&生成电热混合仿真&元件热阻JC&JB的芯片热阻的参数分析

A342:HI3516核心板生成电热混合仿真报告&电热混合报告的解读&信号三维结果解读&电参数预览分析

A343:HI3516扩展底板原理图电源分配系统的分布&PCB电源网络分配和系统支路分析&电源网络互联支路的分配讲解分析

A344:HI3516核心板生成电热混合仿真报告预览解读&仿真分析完成以后的电气结果解读负载的分配和余量分析报告&电在平面的分布密度&热通路热密度解读分析

A345:HI3516核心板和扩展底板进行多板互联的仿真方法&创建多板互连的BLOCK图&关联到SPD板行程底板和核心板进行信号互连

A346:HI3516核心板和扩展底板进行多板互联的仿真方法&J17底板网络和核心板J3的联网络映射连接设置&短接信号互联的参数设置

A347: PowerDC进行IC封装电热混合仿真方法简述&设置参数完成进行封装的电热系统仿真方法简讲

A348:HI3516核心板和扩展底板进行多板互联的仿真&BLOCK设置互联&J16与J2&J17和J3建立电源和信号网络的互联方式&短路连接的参数设置

A349:BLOCK的关联操作和属性关联&双击BLOCK可以跳转到对应的SPD文件上&电源从底板输入然后关联到核心板

A350:核心板热元件和热参数设置&功耗设置和最大功率设置&热元件的散热片热片参数设置&热元件散热参数设置热阻的使用

A351:热元件分散功耗区域功率功耗设置方法&电源连接器电流&功率的情况&仿真核心板温度的分布情况

A352:核心板电路的显示&电流从连接器流入核心板之后在铜皮层面是电流分布情况和电流的密度显示情况&动态电流现实

A353:HI3516核心板和扩展底板进行多板互联仿真结果解读&连接器的热通路&产生报告的解读和总结

A354: PowerTree的直流DC分析和交流AC分析流程&创方法进行DC&AC的分析方法&进行交流阻抗扫描分析的办法

A355:OptimizePI电源平面优化和阻抗分析的工具&软件功能6个主要的电源完整性分析工具和各自作用的特征讲解

A356:OptimizePI电源平面前仿真优化分析&建立PCB平面&设置平面的参数和设置属性参数优化设置

A356: OptimizePI电源平面前仿真优化分析&添加ARM和SINK的模型&添加元件的属性和设置参数VRM

A357: OptimizePI电源平面前仿真优化分析&添加ARM和SINK的模型设置关联的网络和叠层网络关联添加的网络属性

A358: OptimizePI电源平面前仿真优化分析&电源阻抗目标的建立PWL模型和RL模型设置

A359:OptimizePI电源平面前仿真优化分析&优化参数设置&电容数量最小&电源平面的属性参数&电容优化的数量

A360:OptimizePI电源平面前仿真优化分析&平面优化后性能和电容的数量关系&电容平面优化后的平面参数数量区域&数量所在的区域优化后的数量

A361: OptimizePI电源平面前仿真优化分析&根据设置的目标&产生优化方案&修改参数设置电容参数模型数据的参数匹配设置

A362:OptimizePI电源平面后仿真优化分析&后仿真流程讲解导入设置文件&解读仿真的文件和电源平面上VRM和SINK的位置

A363: Postboard电路板的布局简述&创建IC芯片的模型等效SINKS的电路仿真模型&SPICE等效模型编写

A364: Postboard电路板VRM电源输出1V5的电路输入模型设置&等效成LRC的模型&SPICE设置VRM等效的参数

A365:设置电容模型&给带入模型参数添加电容库模型文件&添加理想电容和非理想的嗲电容模型文件

A366:修改电容模型&从库文件里面设置电容模型&配置平面的上VRM的输入和SINKS的端口&设置短配置端口模型文件

A367:设置仿真的阻抗的观测电&芯片的自阻抗和传输阻抗&执行仿真优化结果分析&从仿真结果&在性能和成本中选择合适的方案进行分析&选择合适方案

A368:优化完成以后查看软件给出的优化方案结果&对每种的方案给出的减少电容中选择合适的方案&找到电容冗余的阻抗点&优化完成以后解读优化的报告

A369:优化后取消的电容的数量和取消电容之后平面阻抗的变化情况&仿真的报告中的结果解读&EMI的优化参数与分类&通过EMI给出优化条件和优化结果

A370:EMI的优化后的结果解读&性能和成本选择8颗电容为最佳结果优化方案&输出第9种电容的优化后的位置和电容类说明&解读报告

A371:优化后的阻抗观察点的位置&显示的每个芯片的阻抗点自阻抗&传输阻抗的设置&通过自阻抗和传输阻抗

A372:OptimizePI_PDN阻抗分析和检查&载入后电路对电路的U3E1进行阻抗分析&分析该平面的这个部分的阻抗特性

A373:OptimizePI_PDN阻抗分析&添加电容库&设置平面的分布的电容的模型文件&设置IC的模型文件&设置PDN分析的模板仿真给出PDN的阻抗检查结果&输出阻抗报告

A374:XtractIM用来做IC封装的模型提取&获取IC封装的SPCIE等效电路模型&全封装IBIS模型&支持多从类型的IC封装类型&Wirebond

A375: Wirebond封装的结构体&金线键合丝的连接方式&IC的制作工艺&常见的8种芯片互联模型和方式

A376:Wirebond键合丝的补偿原理&芯片的绑定图使用XtractIM进行环路电感和LRC参数的分析结果&自感和互感的参数&IC分析产生的报告和文件

A377: XtractIM_IC模型抽取流程的讲解&IC分析模型的选择和参数设置&仿真的设置&带入Wirebond的封装&预览IC封装的组建和芯片的结构图分析

A378: Wirebond的封装金线键合丝和IC信号的互联关系分析&材料的设置&材料的设置和叠层的设置

A380: Wirebond的封装DIE的预览&封装材料的设置&介质层的设置&关联网络的设置和层叠的设置

A381:网络耦合参数的设置&提取频率的设置&创建SOLDER_BALL的球体&设置输出的电路模型和参数&遇到错误的处理&和输出文件的修改

A382:M4层下面的相关网络删除&删除原来的SOLDER_BALL从新进行创建&执行放排除错误&执行仿真查看仿真结果&仿真的结果预览&阻抗&自容和自自感&LRC的参数提取文件

A383:提取PSPICET的模型和PI的模型&提取封装PKG的模型&提取DC的模型&PIN哈桑寄生参数&电容&电感&电阻的参数的情况分析&电阻分布分析

A384:提取PSPICET的模型和PI的模型&提取封装PKG的模型&提取DC的模型&PIN哈桑寄生参数&电容&电感&电阻的参数的情况分析&电阻分布分析

A385:输出封装仿真报告解读仿真报告&对仿真报告的结果进行解读&输出仿真的文件进行解读选择保存的需要的文件报告结果&提交IC封装的提取的文件