Cadence Sigrity电源完整性分析与PDN阻抗设计实战视频教程
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授课方式:
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上课时段:
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课程培训大纲

课程标题:Cadence Sigrity电源完整性分析与PDN阻抗设计实战视频教程

课程介绍: 掌握电源完整性关键技能,深入PDN阻抗分析与设计。本课程从电源分配网络系统PDN的基础知识入手,详细解读数据手册,深入探讨端口自阻抗与传输阻抗。通过目标阻抗法,学习不同频率范围内阻抗要求,及如何进行精确计算与保守估算。

课程实操部分:将通过HI3536和AM3359等实例,从原理图分析到电路板布局,逐步指导您完成PDN阻抗检查与仿真分析。内容涵盖电源平面的旁路电容与去耦电容知识,电容的谐振频率,以及如何通过电容配置原则优化电源滤波和芯片去耦。

进一步,课程将揭秘电源平面阻抗优化技巧,包括电源树电流分析、目标阻抗法在过孔寄生电感及等效阻抗频率范围的应用。通过OptimizePI和PowerSI软件工具,学习电源平面分析及阻抗优化的完整流程。本课程适合电子工程师、硬件设计师和相关专业学生,无论您是电源完整性的新手还是希望提升技能的专业人士,都能从中获得宝贵的知识和技能,为高效电源设计打下坚实基础。

学习效果:

1、规范的掌握高速PCB和IC芯片互连仿真分析优化的仿真分析手段和方法,能够掌握包括信号完整性,电源完整性,电源噪声,PDN分析,S参数分析,全波FEM参数提取,连接器结构图体参数提取与分析,IC芯片参数参数提取与分析,DDR3,DDR4高速信号互连仿真分析的手段。掌握电热混合分析,高速互联体仿真分析,MCM,SIP的信号互联时域分析,通用信号分析,ESD,EMI分析。IC芯片热阻,热密度,热流分析,压降分析,封装参数RLC模型收取,IBIS编辑修改等技能和验证分析技巧。

2、学会和掌握Cadence SigritySl&PI,PowerSl,PowerDC,Speed2000,PowerTree,OptimizePI,SystemSl,BroadbandSPICE

Clarity3DLayout,Clarity3DWorkbech,CelsiusCFD,Celsius2D,Celsius3D,XtractlM,AMM,SigrityThermal等系列软件使用方法和应用技巧。

3、学会在频域分析中详细的阐述了提取2.5D和3D全波场下提取封装和PCB的各种网络参数(S/Y/Z及等效L/R/G/C参数)及PDN电源分配网络参数的办法与分析优化技巧。学会将直接将仿真的思路和方法应用与自己实际工作中的项目中去,让工程师能够在掌握整个设计过程中解决高速问题。

4、以实例操作的办法化繁为简手把手的学会宽带网络参数模型抽取办法,系统研究电源的谐振频率以及输入阻抗,信号的插入损耗及反射系数,为精确分析电源和信号的性能提供依据。提高自己的综合能力,解决工作实际项目中遇到的问题,提高自己的信号分析和仿真能力。

5、在时域电子封装和印制电路板的电源和信号完整性分析中,以项目实例讲解了通用时域仿真分析、电路板DDR3专用时域信号分析、DDR4内存专用时域信号分析、TDR_TDT时域反射分析、METRICS信号质量评估、EMC信号网络辐射仿真分析方法和优化技巧。

6、本套视频的目的是让工程师能够通过25个项目分析实例学习快速的掌握好通用频域和时域分析高速互联问题的技巧方法,将方法融入到自己的高速互联分析中去,从而科学地解决自己的项目存在的问题。

7、熟练掌握通用信号完整性分析方法,能够对IBIS文件进行修改和裁剪及能够发现IBIS文件中存在的常见错误问题。能手动搭建通用信号完整性仿真链路系统,包括DDR3/4的互联信号仿真,同时掌握DDR类,高速互联体类,信号指标的用判断标准,能够独立开展仿真结果评估和常见异常问题处理。

课程目录大纲:

电源完整性及电源平面PDN阻抗分析技巧及总结视频教程

C412、电源的分配网络系统PDN&端口的自阻抗和传输阻抗

C413、PDN阻抗分析本质分析是电源平面固有的频域特征

C414、端口的自阻抗和端口直接的传输阻抗&研究电容摆放

C415、PDN的评估手段通常采用目标阻抗法&目标阻抗Z曲线

C416、目标阻抗法在不同频率范围内有着不同的阻抗要求

C417、目标阻抗法的计算办法&保守估算办法和典型计算法

C418、PDN目标阻抗在关注的频率范围内小于目标阻抗数值

C419、降低电源平面供电系统阻抗的设计原则及常用办法

C420、目标阻抗板级&封装级&DIE级进行阻抗仿真的频率范围

C421、电源平面中的旁路电容和去耦电容的知识和容量数值

C422、去耦电容常用的数值及板级去耦电容的谐振频率范围

C423、实例HI3556V200原理图电源部分电路概述分析讲解

C424、实例HI3536LAYOUER电路板的布局及电源网络解读

C425、实例HI3536DDR部分电路PDN阻抗检查分析导入讲解

C426、实例HI3536DDR部分PDN仿真分析电源网络讲解设置

C427、实例HI3536VRM模型&IC模型&电容库电容模型设置

C428、实例HI3536仿真观测点设置&电容开路和及模型设置

C429、实例HI3536执行仿真PDN仿真结果不符合结果错误

C430、实例HI3536OptimizePI&PDN阻抗检查流程详解

C431、实例HI3536&VRM&IC模型&电容模型的参数详解

C432、实例HI3536&VRM设置模型参数的讲解和原理讲解

C433、实例HI3536&VRM第三种模型设置参数详细讲解

C434、实例HI3536&VRM三种等效模型的对比分析讲解

C435、实例HI3536&电源平面的关联电容的模型检查讲解

C436、实例HI3536&观测点VRM短路设&及LOAD开路设置

C437、实例HI3536&平面电容开路&仿真结果PDN阻抗不合格

C438、实例HI3536&使能平面关联电容&仿真PDN后解读

C439、实例HI3536&电源平面U8&阻抗超标的分析和解读

C440、实例HI3536&观测点修改成VRM和LOAD模型及结果解读

C441、实例HI3536&PDN仿真结果分析和阻抗不符合项目分析

C442、实例HI3536&电源树电流分析&修改目标&再次分析解读

C443、去偶电容的配置原则&电源电源滤波及芯片去耦电容原则

C444、去耦合电容的ESL&ESR寄生电感和寄生电阻参数特征

C445、AMM中的电容库的材料调用&电容库电容参数特征

C446、电容库中电容参数的特征&ESR&ESL及查看查找方法

C447、容量和封装不同ESL&ESR的参数跟随变化&电容库参数

C448、电容自谐振频率及等效的串联电感数值及封装有关系

C449、滤波电容自谐振频率与电容的尺寸及封装形式有关系

C450、去耦电容的计算可以用来电源的负载来计算的电容量

C451、去耦电容的计算可以采用目标阻抗法来进行容量

C452、目标阻抗法的BULK的最高频率点等效及近似方法

C453、目标阻抗法过孔寄生电感及等效阻抗频率范围方法

C454、OptimizePI电源平面及电容位置优化的分析流程

C455、PowerSI电源平面分析及平面阻抗优化分析的流程

C456、PowerSI电源平面分析及平面阻抗优化分析的流程2

C457、相同容量的电容并联具有相同的谐振频率&阻抗更小

C458、不同容量的电容并联有不同谐振峰&有LC的反谐振特征

C459、不同容量的电容并联在宽频减少阻抗&反谐振点阻抗大

C460、利用电容反谐振峰阻抗最小的特征来改善PDN的阻抗

C461、电容的SPICE模型和S参数模型&两种模型都能用于仿真

C462、SPICE等效电容的模型文件结构解读和等效电路特征

C463、电容摆放问题&最小数值电容有最高频率去耦半径最小

C464、BGA类芯片电容摆放位置及电容摆放的规律&背面电容

C465、电容安装原则&环路面积最小&总的寄生电感最小化

C466、常见的电容摆放过孔的方式及BGA类圆形电容的过孔

C467、盘中孔的方式寄生电感最小&优化电容可以减少数量

C468、电容引线的宽度和焊盘宽度一致电感小&阻抗不变

C469、电容安装中的寄生电感的影响因数&减少回流电感

C470、回路面积越大&引出线的越长电感越大&平面交错

C471、利用电容反谐振点阻抗最小的特点改善PDN的阻抗

C472、利用电容自谐振频率点阻抗最小抑制PDN的谐振

C473、利用电容自谐振增加Bulk电容消除谐振的办法

C474、实例AM3359PWR_VDDS_DDR电源网络讲解

C475、实例AM33591V5网络电源平面负载分析讲解

C476、实例AM3359导入PowerSI相关设置及网络讲解

C477、实例AM3359层叠参数设置和修改电源网络讲解

C478、实例AM3359电源平面电容模型添加及检查操作

C479、实例AM3359电容模型检查&元件类型修改操作

C480、实例AM3359电容检查&添加端口&添加短接电阻

C481、实例AM3359PDN自阻抗结果解读&Z参数端口分析

C482、实例AM3359U22短接欧电阻作用讲解&目标阻抗法

C483、实例AM3359修改输出引脚后经电感阻抗有LC谐振峰

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