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随着电子技术和集成电路的发展，电子工业设备越来越多功能化、智能化，然而搞集成电路元件容易受到静电放电的影响，带来一系列的麻烦，因此研究电子工业中的静电源和防护措施是很有必要的。一般来说，静电放电（ESD）的原理是指两个物体处于不同的电位，却
电磁兼容、散热、噪声已成为电子工业中最为头疼的三大问题，其中以电磁兼容为甚，电磁兼容可通过屏蔽接地等措施来降低电磁干扰带来的危害，但唯有静电放电（ESD）难以预防，若是预防不当，易出现安全事故引发火灾等，今天本文将分享工程师如何在工作场地来
许多集成电路(IC)都有一些可能比较敏感的输入，这使得它们在输入电压远高于正常值的的情况下(例如在ESD应力作用下)易于受损。正常工作电压与使器件开始受损的电压之间的区域是安全过压区。安全过压区与器件受损区之间有少许交叠，因为如果较大的过压
USB 接口 静电整改
#凡亿7月星企划#手持设备，打USB接口静电时，发现异常，于是开始整改，设备整体如下：塑料外壳，没法接大地，只能将静电引入PCB的参考地或者堵住。先看下原理图，VBUS /D+/D-/ID 脚都加了TVS防护静电，信号上也加了串阻。再看下
在冬天寒冷天气下，电子装置及设备很容易发生静电放电（ESD）现象，它们不仅干扰到电子系统的正常运行，严重时还会引发灾难事故及人生安全事故，所以对我们来说，了解静电及一直措施是很有必要的。静电的基本物理特性为：吸引或排斥，与大地有电位差，会产
ESD静电防护的几种方法。PCBA板上有许多精密电子组件，其中许多对电压敏感。超过额定电压的冲击可能会损坏这些组件。在功能检测过程中，很难一步一步筛选出被静电损坏的PCBA板。更为致命的是，某些PCBA板在测试过程中仍能正常工作，但是当成品
静电保护元件(ElertroStaticDischarged Protection)防静电管ESD静电二极管简称ESD,是一种过压、防静电保护元件,是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。本文收集整理了一些资料，期望能对各位读者有比
关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电容量功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量。功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形成PN接合，成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的
通常情况ESD保护电路如下当系统没有干扰，正常工作时，ESD器件可以忽略，几乎不起作用当外部接口电压超过ESD器件的击穿电压（VBR）,ESD器件开始起作用，并将电流分流到地。实际ESD器件的工作电压（VRWM）与击穿电压（VBR）的区别，
静电放电（ESD）是指不同静电位置的物体相互接近或直接接触引起的电荷转移。ESD会对电子设备造成严重损坏或异常操作。因此，ESD是芯片和系统设计中非常重要的指标。目前有很多ESD测试标准，一般可分为芯片级和系统级。芯片级测试包括多种静电放电
