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一、HyperFlash NOR 闪存概述S26KS128S（128Mb）HyperFlash™ NOR闪存采用小型 8x6mm 球栅阵列 (BGA) 封装，与 Quad SPI 和双 Quad SPI 部件共享一个共同占位面积，以简化电路
一、介绍STM32F031C4T6/STM32F031C6T6微控制器集成了高性能ARM Cortex-M0 32位RISC内核（最高工作频率为48MHz）、高速嵌入式存储器（高达16/32KB闪存和4KB SRAM）以及广泛的增强型外设和
1、简介：RX651系列 32 位通用微控制器非常适用于需要增强安全性、连接功能和 HMI 的物联网设备。RX651系列MCU内置大容量闪存和 RAM，具有多种封装，该系列MCU解决了在工业、网络控制、楼宇自动化及智能计量系统中使用的紧凑
众所周知，为打压国内半导体行业发展，美国可谓是无所不及，多方位制裁。最近美国在SSD芯片上搞了大举动。近日，美国商务部工业于安全局（BIS）公布法律新规，更新了对三星和SK海力士的一般授权，将这两家公司在华工厂纳入“经验证最终用户（VEUs
一、简介RX66N微控制器 (MCU) 是性能稳定的单芯片MCU解决方案，具有大内存容量，适合用于工业设备。这些MCU具有32位RXv3 CPU内核、1MB SRAM、高达4MB闪存， 在120MHz工作频率范围内具有698 CoreMar
1、介绍推出业界速度最快1.8V低电压四I/O MXSMIO™ (Serial Multi I/O)序列闪存。新的MX25U家族8Mb~64Mb于四个 I/O 模式操作，每个I/O速度高达104MHz，不仅在储存下载SnD(Store an
一、W25M02GW1.8V 2G位（2 X 1G位）串行SLC NAND闪存1、简介：W25M02GW（2 X 1G位）串行MCP（多芯片封装）闪存基于W25N串行SLC NAND SpiFlash®系列，将两个单独的W25N01GW芯片
W25Q32JW/W25Q32JV（32M位）串行闪存为空间、针脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供超越普通串行闪存设备的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、直接从双通道/四通道SPI（XIP）执行代码以及存储语音
随着科技的不断进步，消费者对高清照片、视频录制、媒体下载等需求不断上涨，在智能手机、平板电脑等的推动下，这促使内存和闪存市场不断扩大，因此，内存和闪存市场可以说是当下较火的半导体细分领域之一。据国内媒体报道，NAND Flash（闪存）控制
一、STM32G031K8U6TR 主流微控制器IC MCU 32BIT 64KB FLASH 32UFQFPNSTM32G031K8U6TR主流微控制器基于高性能的 Arm® Cortex®-M0+ 32 位 RISC 内核，工作频率高达
