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IGBT关断过程分析
01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况，由于对IGBT关断机理认识不清,
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IGBT，全称为绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。它具有强电流、高压应用和快速终端设备
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在高速电子开关中，很多电子工程师都在发愁过电压问题，过电压的存在可能对关键元件如IGBT（绝缘栅双极型晶体管）造成严重损害。为了解决这个挑战，雪崩二极管应运而生。1、雪崩二极管是什么？雪崩二极管是一种利用半导体内部载流子碰撞电离和渡越时间效
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步入21世纪后，随着对高压、大电流、高效率及快速开关特性的需求日益增长，传统MOS功率器件已经难以满足很多应用场景的要求，因此，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）电路应运而生，成为该问题的解决方案，那么我们为什么需要它？1、降低导通电阻IGBT
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