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说明UnitedSiC UF3C高性能SiC FET是共源共栅碳化硅(SiC)产品，将高性能G3 SiC JFET与共源共栅优化Si MOSFET共同封装，以生产标准栅极驱动SiC器件。该系列具有超低栅极电荷，非常适合开关感性负载和需要标准
1、SPH0644LM4H-1 多模数字底端口SiSonic麦克风SPH0644LM4H-1是一种微型、高性能、低功耗、底部端口硅数字麦克风，具有单位PDM输出。SPH0644LM4H-1由一个声学传感器、一个低噪声输入缓冲器和一个sigm
电力变压器是电力系统中常用的电力设备，用于将高压电能转换为低压电能，或者将低压电能转换为高压电能。它是实现电能传输、配电和转换的重要设备之一。01电力变压器基本结构电力变压器由主要由铁芯和线圈组成。其中，铁芯是由高导磁性的硅钢片叠压而成，用
散热一直是游戏玩家关注的重点，因为CPU的温度至关重要，即使没有蓝屏，高温降频带来的性能降低也是不容忽视的，但是CPU的散热受到硅脂的限制，因而有不少玩家把目光转向了液金，也就是液态金属。液金凭借其优异的导热性能，被用于提升电脑尤其是高性能
硅光电三极管是一种光电转换器件，利用光电效应将光信号转化为电信号。它具有简单的结构、高灵敏度、快速响应速度等特点，广泛应用于光电检测、通信、光电测量等领域。01硅光电三极管基本结构硅光电三极管的结构基本上与普通的硅三极晶体管相似，主要由一个
集成电路掺杂工艺
集成电路的制造过程中，掺杂是很重要的一步。最基本的IC工艺步骤如下：掺杂就在芯片工艺段里面，掺杂是什么意思，硅片本身载流子浓度很低，需要导电的话，就需要有空穴或者电子，因此引入其他三五族元素，诱导出更多的空穴和电子，形成P型或者N型半导体。掺杂定义：就是用人为的方法，将所需的杂质（如磷、硼等），以一
简介硅基光电子技术将硅的电子信号处理能力与光通信的速度和带宽结合在一起，标志着在数据传输的重大飞跃。通过在单个硅芯片上集成光子和电子组件，极大地提高电信、数据中心网络和高速互联网服务的性能、效率和成本效益。硅基光电子技术的核心是波导，即在芯片内限制和引导光的通道。要优化光子器件的设计和功能，了解复杂
引言量子计算机在解决某些问题方面大有可为，其速度比经典计算机快得多。然而，构建能够运行商业相关算法的大规模量子计算机仍然是重大挑战。扩展量子计算机的一种方法是采用分布式架构，即将多个量子处理器模块联网。在本文中将探讨如何利用硅 T 中心作为分布式量子计算的平台。T 中心是硅中的光学活性缺陷，兼具出色
简介本教程讨论硅基光电子电路 (PIC) 制造变化的影响。这些变化，尤其是硅厚度和特征尺寸的变化，会严重影响器件性能。了解这些变化对于设计稳健的 PIC 和制定减轻其影响的策略很重要。制造的不均匀性PIC 通常需要精确匹配组件（如环形调制器、光滤波器）之间的中心波长和波导传播常数，以实现波分复用等功
简介过去六十年里，摩尔定律面临过多次挑战，但半导体工程师总能找到突破，让芯片上的晶体管密度继续翻倍。然而，这背后的成本却在飙升。历来，缩小晶体管尺寸有助于提高芯片的运行速度。目前，制造商已能在硅芯片上形成仅有几个原子厚的微结构。但鉴于物理的极限，这些微结构无法无限缩小，虽然降温或降低电压等方法也能提
