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双向晶闸管（Bidirectional Thyristor），简称BTR或Bi-SCR，是一种可控硅器件，可以在两个方向上进行导通。它结合了双向导电特性和晶闸管的可控性，能够实现双向控制和双向导通。01双向晶闸管基本结构双向晶闸管的基本结构
在半导体制造中，硅片是芯片制造的基础材料，其规格和特性对最终产品的性能至关重要，但如果了解硅片的设计，很容易发现2、4、6寸硅片经常留有旁边（Flat）设计，这是为什么？1、平边（Flat）是什么？平边，也叫做定位边，是硅片上被刻意切割出一
概述：Virtex UltraScale+ 器件是基于 14nm/16nm FinFET 节点的高性能 FPGA，支持 3D IC 技术和多种计算密集型应用。AMD 第三代 3D IC 使用堆叠硅片互联 (SSI) 技术打破了摩尔定律的限制
随着半导体技术的飞速发展，新型半导体材料不断涌现，其中SiC（碳化硅）和GaN（氮化镓）作为其中的佼佼者，正逐步改变着我们的技术世界。本文旨在探讨这两种材料的特性以及它们之间的主要区别。1、SiC和GaN是什么？碳化硅（SiC）：碳化硅是一
第三代半导体材料是指以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的宽禁带半导体材料。具体是指Eg(带隙宽度)≥2.3eV的宽禁带半导体材料，主要包括碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽
提起芯片原材料，很多人第一想到的是硅（Si），但随着时代发展，电子技术迭代更新，芯片种类开始增多，原材料自然也五花八门，其中较为常见的是碳化硅。据外媒报道，意法半导体近期宣布，计划在意大利卡塔尼亚建立全球首个专注于200mm集成碳化硅（Si
1、碳化硅（SiC）模块 – EliteSiC主驱逆变器功率模块900V，单侧直接散热1.7mOhm，900V，6-PackNVXR17S90M2SPB是一款单侧直接散热1.7mOhm，900V，6-Pack EliteSiC功率模块，适用
这些1200 V碳化硅(SiC)MOSFET系列针对高功率应用进行了优化，如UPS、电机控制和驱动、开关模式电源、太阳能和储能系统、电动汽车充电、高压DC/DC转换器等。该系列基于第三代技术，多种多样的导通电阻和封装选项使设计人员能够根据应
随着时代发展，目前已经发展之第三代半导体材料，第一代至第三代类型如下：第一代半导体材料以传统的硅（Si）和锗（Ge）为代表，是集成电路制造的基础，广泛应用于低压、低频、低功率的晶体管和探测器中，90%以上的半导体产品 是用硅基材料制作的；第
薄膜太阳能电池是一种新型的光伏器件，它通过使用硅、硫化镉、砷化镓等材料制成的微米量级的薄膜作为基体材料，利用光电效应或光化学效应将光能直接转化为电能，其特点在于对同一个的吸收系数很高，可在较薄的厚度内吸收大部分太阳能量。当下，全球面临着能源
