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ADI基于LTC3892 降压型控制器的SEPIC降压及升压应用-LTC3892 的第二个输出是一个 SEPIC 转换器。SEPIC 功率链路包括 L2、L3、Q3 和 D1。这里采用了一个具有两个分立式电感器的非耦合型 SEPIC，因而拓宽了可用电感器的范围。
小信号MOSFET桥驱动设计MC34063扩流降压电路图-电路中使用了内阻10Ω的小信号MOSFET桥驱动，后级功率管总能处在较佳工作状态，只要有适当的大功率MOSFET和电感，再增大输出电流是很容易的事。
ADI：关于开关频率需考虑的因素-在设计电路时，必须考虑到开关频率可能会有20%的变化，由于流经电感的峰值电流会随实际开关频率有所不同，因此，电感电流纹波会直接影响输出电压纹波。
罗姆推出具有沟槽栅极结构的碳化硅MOSFET器件-通过使用TO-247-4L封装，驱动器和电流源引脚得以分离，从而最大限度地降低了寄生电感分量的影响。
答：常见的PCB封装有有如下几种，如下所示，这些常用的封装，可以直接去我们的本书的交流论坛——PCB联盟网的“封装库论坛”进行下载学习。Ø 电阻、电容、电感，如图1-8所示： 图1-8 阻容感封装展示Ø 二极管、三极管，如图1-9所示： 图1-9 二极管、三极管封装展示Ø 排阻类器件（4脚、8脚、10脚、16脚等），
答：我们通常所说的π型滤波，指的是π型滤波电路，如图1-40所示，L1、C1、C2共同构成的典型的LC的滤波回路，其中电感L1可以用电阻来进行替换。 图1-40 π型滤波电路示意图
答：一般处理模拟地、数字地的方法有以下几种：直接分开，在原理图中将数字区域的地连接为DGND，模拟区域的地连接为AGND，然后PCB中的地平面分割为数字地与模拟地，并吧间距拉大；数字地与模拟地之间用磁珠连接；数字地与模拟地之间用电容连接，运用电容隔直通交的原理；数字地与模拟地之间用电感连接，感值从uH到几十uH不等；数字地与模拟地之间用零欧姆电阻连接。总结来说，电容隔直通交，造成浮地。电容不通直流，会导致压差和静电积累，摸机壳会麻手。如果把电容和磁珠并联，就是画蛇添足，因为磁珠通直，电容将失效。
答：过孔的两个寄生参数是寄生电容和寄生电感。过孔本身存在着对地的寄生电容，如果已知过孔在铺地层上的隔离孔直径为D2,过孔焊盘的直径为D1,PCB板的厚度为T,板基材介电常数为ε,则过孔的寄生电容大小近似可以用以下公式来计算：C=1.41εTD1/(D2-D1)。过孔的寄生电容会给电路造成的主要影响是延长了信号的上升时间，降低了电路的速度。比如说，对于一块厚度为50Mil的PCB板，如果使用内径为10Mil，焊盘直径为20Mil的过孔，焊盘与地铺铜区的距离为32Mil,则我们可以通过上面的公式近似
答：高速电路设计中电容的作用有如下几个：Ø 电荷缓冲池。电容的本质是储存电荷与释放电荷，当外界环境变化时，使得驱动器件的工作电压增加或者减少时，电容可以通过积累或者释放电荷来吸收这种变化，即将器件工作电压的变化转变为电容中电荷的变化，从而保持器件工作电压的稳定；Ø 高频噪声的重要泄放通路。高速运行的电路，时刻存在着状态的改变，这些改变将在电路上产生大量噪声干扰，我们需要将这些干扰泄放到相对稳定的地平面上，以免影响器件工作，因为电容在频率较高时表现为低阻抗，所以可以作为泄放通路
答：我们在orcad软件中做封装库时，都会给元器件定义编号的首字母，后面在绘制原理图时，放置元器件，就会按这个来递增编号，我们常见的元器件位号的首字母一般按如下方式来定义：Ø 电阻：R*；Ø 排阻：RN*；Ø 电容：C*；Ø 电感：L*；Ø 二极管：D*；Ø 三极管：Q*；Ø 开关、按键：SW*；Ø 继电器：LS*；Ø 晶体：Y*；Ø 变压器：T*；Ø 接插件类：J*；Ø 测点
