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上下拉电阻那些事
上拉就是将不确定的信号通过一个电阻嵌位在高电平!电阻同时起限流作用!下拉同上拉是对器件注入电流,下拉是输出电流:弱强只是上拉电阻的阻值不同,没有什么严格区分:对于非集电极(或漏极)开路输出型电路(如普通门电路)提升电流和电压的能力是有限的,上拉电阻的功能主要是为集电极开路输出型电路输出电流通道。
关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电容量功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量。功率MOSFET在构造上，如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘，DS (漏极、源极) 间形成PN接合，成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的
贴片三极管封装
因为最近拆东西，里面的有些贴片元件我看不懂，然后去恶补了一下知识，这里就再补补。SOT-223这个图基本上就很全面了搭配这个一起看还有这个无论是PNP还是NPN，1脚为基极，2脚为发射极，3脚为集电极无论是P沟道还是N沟道，1脚为栅极，2脚为源极，3脚为漏极无论是P沟道还是N沟道，1脚为栅极，3脚为
上周我们推送一篇高大上的SiC应用文章，许多资深工程师为之振奋，一些年轻工程师表示要加紧学习，快速提高自己的水平。今天我们再回到基本面，学习功率MOSFET一些基础知识。10多年前做研发使用功率MOSFET、查阅产品数据表的时候，看到前面好几个电流的定义：连续漏极电流ID、IDSM、脉冲漏极电流ID
极限参数也叫绝对最大额定参数，MOS管在使用过程当中，任何情况下都不能超过下图的这些极限参数，否则MOS管有可能损坏。VDS 表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。VGS 表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。ID 表示漏极可承受的持续电流值，如果流过的电流超过该值，会引起击穿的风险。IDM 表
微波电子管是一种用于产生、放大和调制微波信号的电子器件。它是在微波频段工作的一种放大器，相比于普通的半导体器件，具有更高的功率、更宽的频带和更低的噪声。微波电子管基本结构微波电子管的基本结构包括阴极、阳极、网极、漏极、螺旋线、腔体等部分。阴
摘要这些分立式GaAs pHEMT采用经过验证的标准0.25um功率pHEMT生产工艺设计。该工艺在高漏极偏置工作条件下通过先进的技术优化微波功率和效率。这些器件的工作频率范围为直流至20GHz。凭借这种性能水平，这些器件非常适合用于高效率
1、串联二极管2、整流桥3、MOS防护G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极4、保险丝 TVSTVS选用5V规格：当电压大于5.6V时反向导通。瞬态按捺二极管的作业原理瞬态按捺二极管（瞬态电压按捺器）(TVS)的作业原理与(压二极管又名齐纳二极管）稳压二极管相同，但构造上有
想设计开漏电路，如何做？
在需要电平转换、逻辑“与”操作或节省IC驱动能力的场合中，开漏电路是最佳选择，因此遇到这些需求，工程师可以选择开漏电路，那么如何设计？1、选择适当的MOSFET使用N沟道MOSFET，其漏极（D）连接到外部VCC，源极（S）连接到输出端，栅
电源线路详解
下图为一款简单的电源线路图： 电源输入端采用的单级EMI抗干扰电路由C1和L1组成，主要目的就是为了减小电源内的高频信号对电网的辐射干扰。 市电经过整流桥BD1和C2滤波后得到一个大约300V的直流电压，这个电压一路经过变压器的一次绕组后加到开关管VT1的漏极
