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电路设计之过压保护电路
电路设计常用直流电源 在很多的电子产品设计中,电源部分是极为重要的,也是很容易损坏的。一方面是输入的电源极性错误,这个我们之前的文章,也介绍了一部分防止极性发生错误的电路。另外一方面是输入的电压过高。下面我们主要讨论如何简单、可靠的解决电路设计这个问题。 比如在电子器件电源前端的电源不稳定,如汽车电瓶在汽车启动时,会产生很大的浪涌电压。对于此类过压电源的保护,一般采用TVS管去保护。一般应保证TVS管应工作在后端电源芯片器件的正常电压VCC以上,最大工作电压Vmax以下。 TVS管应用电路
模拟电路设计者进阶之路
众所周知,模拟电路设计难学,以最普遍的来说,我们分析它的时候必须首先分析直流偏置,其次在分析交流输出电压。可以说,确定工作点就是一项相当麻烦的工作(实际中来说),的参数多、参数的离散性也较大。但值得我们注意的是,构建了电子行业的基础,至今为止,电子技术已经发展到如此高的水平。但如果我们观察各种电子电路的发展,我们会发现:几乎所有的电子技术都离不开放大技术。即使是数字芯片内部,其基本单元都是互补型源极接地放大电路。模拟电路设计技术的重要性不言而喻。
英飞凌OptiMOS?源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置-OptiMOS SD 40 V低电压功率 MOSFET 提供两种版本:标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。
振荡回路:开关变压器的主绕组N1、Q1的漏--源极、R4为电源工作电流的通路;R1提供了启动电流;自供电绕组N2、D1、C1形成振荡芯片的供电电压。这三个环节的正常运行,是电源能够振荡起来的先决条件。
关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电容量功率MOSFET在构造上,如图1存在寄生容量。功率MOSFET在构造上,如图1存在寄生容量 MOSFET的G (栅极) 端子和其他的电极间由氧化膜绝缘,DS (漏极、源极) 间形成PN接合,成为内置二极管构造。Cgs, Cgd容量根据氧化膜的
一、MOS管输入电阻很高,为什么一遇到静电就不行了?MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高,而栅-源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷,容易引起静电击穿。静电击穿一般分为两种
贴片三极管封装
因为最近拆东西,里面的有些贴片元件我看不懂,然后去恶补了一下知识,这里就再补补。SOT-223这个图基本上就很全面了搭配这个一起看还有这个无论是PNP还是NPN,1脚为基极,2脚为发射极,3脚为集电极无论是P沟道还是N沟道,1脚为栅极,2脚为源极,3脚为漏极无论是P沟道还是N沟道,1脚为栅极,3脚为
在电子工程中,米勒效应是一个重要的概念,尤其是在MOS管(金属氧化物半导体场效应管)开关的应用中,但有很多电子小白不太清楚这个效应,所以今天将开展这个话题的讨论,希望对小伙伴们有所帮助。按定义来说,米勒效应是指在MOS管的栅极和源极之间加上
MOS管本质上属于静电放电(ESD)敏感器件,本身的输入电阻很高,但栅源极间电容很小,所以相对于其他元件,MOS管更容易受到外界电磁场或静电的感应而带电,也会在强静电场合难于泄放电荷,静电击穿现象更明显。那么如何解决这个问题?一般来说,静电
极限参数也叫绝对最大额定参数,MOS管在使用过程当中,任何情况下都不能超过下图的这些极限参数,否则MOS管有可能损坏。VDS 表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。VGS 表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。ID 表示漏极可承受的持续电流值,如果流过的电流超过该值,会引起击穿的风险。IDM 表
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