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我们知道作为PCB设计工程师我们在进行PCB设计之前都需要进行PCB封装的创建,但是对于一些新手工程师对于创建的封装的精准数据无法进行判断,并且对一些焊盘的补偿参数不是很明白,导致自己做出的封装只能满足打样或者无法使用的囧状。针对这种情况其实我们Altium Designer考虑得比大家多多了,早早

利用Altium Designer IPC封装向导快速创建PCB封装

为了更好的察看以及展示PCB的布局和结构,Altium Designer 23(23.5以上版本)在PCB编辑器中添加了Section View功能。Section View功能可以通过在3维模式中设置对应参数,从而达到更佳的展示出PCB

Altium Designer 23全新功能-使用Section View功能查看剖视图

放大器是电子电路中的重要组成部分,其性能对整个电路的输出精度和稳定性有重要影响。提起放大器,就不能错过失调电压和偏置电流这两大重要参数,本文将谈谈如何测量放大器的失调电压和偏置电流,希望对小伙伴们有所帮助。1、失调电压的测量失调电压是指放大

如何测量放大器的失调电压和偏置电流?

重点一 三极管的小信号模型小信号模型是用于分析输入信号为低频小信号时,将晶体三极管用线性模型代替,用于分析放大器动态时的技术指标。重点我们掌握H参数小信号模型。它是由BJT输入端口、输出端口的电压及电流关系式建立起来的。01模型的引入于是可

小信号模型的重难点

上一期通过单相CRM BOOST PFC仿真已经把主功率电路、环路控制ON TIME、过零检测、起振信号验证完成,接下来就是加入交错电路,实现两相变频交错。 第一步是先把单相临界模式PFC直接改为两相并联,共用驱动,保证功率电路能正常工作,并将环路参数调好,调试方法请参考交错CRM B

交错CRM BOOST PFC仿真(二)——变频错相实现方法

离子注入工艺参数 00离子注入就像上图一样,把离子砸到晶圆中。涉及到使用的力度、数量、角度,砸进去的深度等。 或许大家看注入机设备规格的时候,会注意到在讨论能量范围的时候,KeV注明是单电荷。 我们知道扩散源以原子的形态被打入等离子发生室内,其核外电子被电离游走掉,有的原子被电离掉一个电

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离子注入工艺的设计与计算

仿真语法:通用格式语法规则:•命令可以简写,以不与其他简写相冲突为原则,如“deposit”可以用“depo”取代•不区分大小写•命令和参数之间、参数参数之间以空格分开•一行写不完的在该行的末尾加反斜杠“\”(注意“\”前需留有空格),则下一行和该行将被视为同一个命令•“#”进行注释•空行不运行激

Silvaco TCAD仿真流程和激光芯片仿真

1 •外延的命令epitaxy,参数及其说明如下:1.1外延的例子1.3光刻仿真•OPTOLITH模块可对成像(imaging),光刻胶曝光(exposure),光刻胶烘烤(bake)和光刻胶显影(development)等工艺进行精确定义••OPTOLITH提供光阻的库及其光学性质和显影时的特性(

Silvaco TCAD工艺仿真外延、抛光和光刻

直流电源的技术指标有两种,一种是特性指标,包括允许输入电压、输出电压、输出电流及输出电压调节范围等;另一种是质量指标,用来衡量输出直流电压的稳定水平,包括稳压系数、电压调整率、输出电阻、或电流调整率、纹波抑制比、温度系数、瞬态响应,等等。本节给大家解释一下这些常见的质量参数。1)稳压系数稳压系数表

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直流电源的质量参数详解

极限参数也叫绝对最大额定参数,MOS管在使用过程当中,任何情况下都不能超过下图的这些极限参数,否则MOS管有可能损坏。VDS 表示漏极与源极之间所能施加的最大电压值。VGS 表示栅极与源极之间所能施加的最大电压值。ID 表示漏极可承受的持续电流值,如果流过的电流超过该值,会引起击穿的风险。IDM 表

轻松搞懂MOS管datasheet