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模拟电路电路设计的九个阶段，类似下围棋的段位。从一段到九段都看完后，就掌握自身是哪一个时期的水平了。不容错过哦。 一开始步入这一行，对PMOS/NMOS/BJT那些的只不过是有一个大概的掌握，各类元器件的性能都不太清晰，实际电路设计成哪样的电路也没有想法，路原理图主要是看国内杂志期刊上的文章，或是依照教材上现成的电路，总感觉他们说得都是有道理。做的电路主要是是小规模的模块，做些差分运放，或是带隙基准的仿真那些的就计算着发文章，生怕到时候论文凑不够。总的来说，基本上看见运放还是发怵。感觉spic
分立器件搭建BUCK电源原理图实战之三角波起源 我们确定了Buck拓扑中器件的的参数，如图一示，接下来分析一下NMOS管NO和OFF时电路的状态，当N管导通时，S端的电压为30V，而Vgs阈值电压是3V，那也就是说需要G点的电压达到
MOS管有很多种，通常的模电教材里都会至少分为PMOS/NMOS、增强型/耗尽型，因为一般情况下，实际工程中能见到的基本上都是增强型。所以下文中就不特殊说明了，都是指的增强型。1）MOS管的识别首先，MOS管的电路符号如图：MOS管的符号三个极中，中间的是栅极G，箭头指向栅极的是NMOS，箭头背向栅
对工程师来说，模拟电路就像攀登高峰一样，从初探其门到精通奥秘，需要经历几个阶段，我认为从新手到大佬需要经历九大阶段，每一级都标志着学习的进度，那么是哪个阶段？1、入门阶段初识PMOS、NMOS、BJT等器件，对电路设计有大致概念，主要依赖教
今天来说 两个问题：1、MOS管导通电流能否反着流？D到S，S到D方向随意？2、MOS管体二极管能过多大的电流？ 为啥会有这两个问题？我们在最开始学习MOS管的时候，应该都是从NMOS开始的，电流的方向都是从D到S的。而实际应用电路，NMOS会有电流从S到D的情况，比如下面这个NMOS管防电源反接电
在电子电路中，NMOS（N型金属氧化物半导体）晶体管极为常见，尤其是在逻辑芯片、处理器和数字存储器中应用广泛。然而使用过程中，总会发现理想中的NMOS与实际使用的NMOS之间存在着显著的差异，这是为什么？1、理想NMOS的特点导通电阻：理想
有不少电子小白很好奇，MOS管如何控制电流方向？今天将针对这个问题，以NMOS为例，谈谈其如何通过电压比较器精确控制电流方向及大小的具体实现方法，本文仅供参考，希望对小伙伴们有所帮助。1、电路构成电压比较器：使用LM358等双运放比较器，正
MOS管现在做开关最多，就是可以G和S之间的电压来控制DS极的开闭。一般经验是这样做：PMOS放在高端，就是正电位的地方，NMOS就是低端开关，靠近GND的地方。MCU控制的地方是G点（太色情了）：NMOS一般是高电位，PMOS是低电位。以上是我个人学习的总结，接下来就写一点原理的东西，我也没有学过
