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作为硬件工程师,不管做什么产品,一般都会用类似下面的PMOS开关电路,而且一般用做电源控制。这个电路看着比较简单,但是呢,在实际应用中,稍不注意的话,可能会出现下面的几个问题:1、PMOS开关开启的一瞬间,前级电源电压跌落,或者直接被拉死2、PMOS开关开启的一瞬间,MOS管冲击电流太大,MOS管

PMOS开关电路常见的问题分析

上期文章《MOS管的安全工作区SOA详解(一)限制线介绍》有详细解释过SOA曲线的各个限制线的具体意义,但是没有举例子具体如何运用,这期就来举例说明,如何判断一个MOS管是否工作在SOA区。1、SOA曲线运用的基本步骤下面是我总结的SOA曲线运用的步骤,总共6步:① 测量MOS管的电压和电流波形,判

MOS管的安全工作区SOA详解(二)举例说明如何运用

最近一直在说MOS管的知识,就有朋友留言说能具体说一下MOS管的导通和关断过程吗,那我们今天来说一下MOS管的导通和关断具体过程。 为了更好的理解MOS管的导通和关断过程,我们一般会将电路中的寄生电感忽略掉,下面我们以一个最简单的钳位感应开关模型来说明。 对于MOS的导通过程我们可以

MOS管导通和关断过程

MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗,这些损耗可以分为两类: 一类为器件栅极驱动损耗。前面我们说过:MOSFET的导通和截止过程包括电容CISS的充电和放电。当电容上的电压发生变化时,一定量的电荷就会发生转移;需要一定量的电荷使栅极电压在0和VDRV之间变化,变化

MOS功率损耗

前面章节讲了MOS管的一些特性,就有一些同学留言问能不能讲一下MOS管的基础知识,我前面也说了很多有关于MOS的文章,那这一章我们还是简单的说一下MOS管的基础知识。 MOS管是FET的一种,可以被制作成增强型和耗尽型,P沟道或N沟道类型,在我们开关电源设计时,一般使用的是增强

MOS管基础知识

前面说了一些MOS管的知识,就有同学留言说能不能说一下MOS管的一些简单使用场合和工作原理,那我们今天来简单说一下,首先我们知道我们的电源从结构来划分的话,可以分为隔离型和非隔离型,那我们今天也将MOS所在的原理图分为隔离和非隔离两类来说明。 下图为不隔离的驱动电路,电

MOSFET 常用驱动电路

今天来讲解一下全桥电路中的一类:全桥逆变线路。按照以往习惯,先上线路原路图:我们可以看到上图是由芯片和4个MOS管共同构成的全桥式开关电源输出部分,当时芯片使用的好像是LM27402MHX型号,具体参数有兴趣的小伙伴可以上网查找,我这边只贴出芯片产商推荐外围线路架构图与芯片内部结构原路图,如下图所示

全桥式开关电源解析

最近一直在说MOS管的知识,就有朋友留言说能具体说一下MOS管的导通和关断过程吗,那我们今天来说一下MOS管的导通和关断具体过程。 为了更好的理解MOS管的导通和关断过程,我们一般会将电路中的寄生电感忽略掉,下面我们以一个最简单的钳位感应开关模型来说明。 对于MO

MOS管导通和关断过程

在开关电源中,如果我们把整个电源比作人体的话,那么MOS管就相当于我们的大脑,相对于大脑对我们人体的控制,MOS管同样的对电源的整体输出控制起到了决定性的作用。 关于MOS管,有很多的参数,比如耐压值、击穿值、最大额定功率、额定电压等等,我们之前也说了很多关于MOS管

MOS管耐压值对产品性能的影响

MOS管在电源应用中作为开关用时将会导致一些不可避免的损耗,这些损耗可以分为两类: 一类为器件栅极驱动损耗。前面我们说过:MOSFET的导通和截止过程包括电容CISS的充电和放电。当电容上的电压发生变化时,一定量的电荷就会发生转移;需要一定量的电荷使栅极电压在0和VDRV之间变化,变化

MOS功率损耗