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一、MOS管栅源下拉电阻的作用MOS是电压驱动元件，对电压很敏感，悬空的G很容易接受外部干扰使MOS导通，外部干扰信号对G-S结电容充电，这个微小的电荷可以储存很长时间。在试验中G悬空很危险，很多就因为这样爆管，G接个下拉电阻对地，旁路干扰
电路小课堂，总结一下常用的电平转换电路。前言一、二极管电平转换电路电路分析二、三极管电平转换电路2.1 电路一电路分析2.2 电路二电路分析三、MOS管电平转换电路电路分析四、电平转换芯片结语前言电路小课堂时间到，今天我们要聊的是 电平转换电路。 那么什么是电平转换？为什么需要电平转换？简单说明一下
关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为MOS管的结
AP8861 一款宽电压范围降压型 DC-D 电源管理芯片，内部集成使能开关控制、基 准电源、误差放大器、过热保护、限流保 护、短路保护等功能，非常适合宽电压输 入降压使用。 AP8861 带使能控制，可以大大节省外 围器件，更加适合电池场
关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。下图的3个电容为MOS管的结
此芯片采用单点接地，输入输出的地都连接在芯片中间进行回流，其他地方不要打孔2.输入输出主干道尽量一字型布局3.MOS管尽量放置在输出路劲上4.走线可以在优化一下，尽量不要有直角5.散热焊盘上的过孔需要双面开窗处理，底层焊盘中间也需要开窗以上
MOS管和双极型晶体管（BJT）是常见的两种晶体管器件，它们在工作原理、结构以及性能上存在明显差异，本文将对其进行比较分析。如果您对即将涉及的内容感兴趣，那么请继续阅读下文吧，希望能对您有所帮助。结构BJT有三个区域：发射区（Emitter
一、MOS管输入电阻很高，为什么一遇到静电就不行了？MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿一般分为两种
MOS管能否被静电击穿？
作为电子工程师，想必对MOS管（金属氧化物半导体场效应管）不陌生吧，MOS管在多种电路非常重要，但在实际应用中可能会存在一定的风险，其中之一就是静电击穿，下面我们来看看，MOS管是否能被静电击穿？1、什么是静电击？一般来说，静电击穿是指由于
开关电源变压器设计
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