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小白初学集成电路都会了解IC设计、PCB设计、电路设计，但很多小白通常会省略集成电路的封装技术，认为没有了解的必要，导致在后续的项目设计中出错，所以了解集成电路的封装技术是很有必要的，所以今天将聊聊集成电路的封装技术。1、集成电路（IC）封
集成电路（IC）自从问世以来，已成为国民经济和社会发展的重要支撑体，是信息产业的核心。随着全球信息化的加强，集成电路产业在国民经济中的地位越来越重要，相关制造企业自然也大火，本文将盘点集成电路的基本制造工艺。一般来说，集成电路基本制造工艺大
自从华为中芯国际等多家中企被美国制裁封杀，国人开始知道半导体芯片的重要性，并提出国产全面化口号大力发展本土企业，芯片加工工艺作为芯片的关键环节也得到了许多关注，这也造成多种领域的电子工程师必须对集成电路基本加工工艺流程有一定的了解，所以本文
LogIC设计原理图后，可以把原理图以PDF的形式输出，方便学安装软件的用户对原理图进行查阅。1）执行菜单命令“文件”→“生成PDF”进入“文件创建PDF”界面，在“文件名”栏填入文件名，指定其路径保存路径，如图4-65所示。图4-65 指
电源线磁环就是安装在电源线上的磁环，那么，在电源线上安装磁环有什么作用？今天小编给大家讲解一下。我们知道，电磁波会与电子元件发生作用，产生干扰现象，也称之为EMI（ElectromagnetIC Interference）。在我们的生活中，
三元锂电池一般指三元聚合物锂电池。三元聚合物锂电池是指正极材料使用镍钴锰酸锂（Li（NICoMn）O2）三元正极材料的锂电池，三元复合正极材料前驱体产品，是以镍盐、钴盐、锰盐为原料，里面镍钴锰的比例可以根据实际需要调整，三元材料做正极的电池
产品概述 CoolSICTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SIC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、
概述英飞凌CoolSICTM MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性，从而增强了设备性能、稳健性和易用性等独特优势。产品规格1、参数：IMZA120R040M1HXKSA1 （IMZA120R040M1H）FET 类型：N
QCA9880 802.11ac Dual bandQCA9880 3x3 2.4G/5G FCC/CE/IC Qualcomm-Atheros QCA9880 chipset2.4GHz max 26dBm & 5GHz max 25dB
FS05MR12A6MA1BBPSA1 1200V SIC AG-HYBRIDD 汽车IGBT模块该电源模块采用新的 CoolSICTM 汽车 MOSFET 1200V，针对电动传动系统应用进行了优化。特性4.2kV DC 1sec 绝缘高
