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钻石能否做成晶体管使用？
James Bond小说的作者Ian Flemin曾写道，钻石可能是永恒的。但在工程师的角度来看，其或将永远处于实用半导体材料的边缘。尽管这种材料具有优点——比竞争对手的碳化硅和氮化镓（GaN）更宽的带隙，优良的热传导，以及在比硅钻石的缺点
近年来，因为 5G 的应用，大家对射频氮化镓的关注度日益提升。Qorvo 方面也认为，GaN 非常适合提供毫米波领域所需的高频率和宽带宽。它可以满足性能和小尺寸要求，如下图所示。使用毫米波频段的应用需要高度定向的波束形成技术(波束形成将无线
产品概述LMG341xR150 GaN FET具有集成驱动器和保护功能，让设计人员能够在电动电子系统中实现更高功率密度和效率。LMG341xR150 GaN FET具有超低输入和输出电容、零反向恢复（可将开关损耗降低高达80%）以及低开关节
微波功率放大器主要分为真空和固态两种形式。基于真空器件的功率放大器，曾在军事装备的发展史上扮演过重要角色，而且由于其功率与效率的优势，现在仍广泛应用于雷达、通信、电子对抗等领域。后随着GaAs晶体管的问世，固态器件开始在低频段替代真空管，尤其是随着GaN，SiC等新材料的应用，固态器件的竞争力已大
TMS320F28003x/TMS320F28003x实时微控制器是C2000™实时微控制器系列中的一款器件。C2000微控制器是可扩展、超低延迟器件，旨在提高电力电子设备的效率，包括但不限于：高功率密度、高开关频率，并支持使用 GaN和S
Introduction:In today's interconnected world, seamless and reliable data transfer is crucial for businesses, orGaNizatio
1、L99UDL01TR汽车通用门锁IC是一款多路半桥IC，具有6个集成输出，可对这些输出进行PWM配置和电流调节。该器件包括多达两个外部配置的半桥，用于更大电流节点。IC描述：IC HALF BRIDGE DRIVER 64TQFP输出配
1、QPF400637GHz至40.5GHz氮化镓前端模块QPF4006是一款面向39GHz相控阵5G基站和终端的多功能氮化镓MMIC前端模块。该器件结合了低噪声高线性度LNA、低插入损耗高隔离度TR开关和高增益高效率多级PA。QPF400
GaN芯片工艺
GaN作为第三代半导体的典范正在被广泛使用，就连电梯间也能看到快充品牌直接拿GaN做广告语了。GaN做激光或者LED可以发出蓝光，也是被广泛研究和量产的产品。GaN器件目前被称为HEMT (High Electron Mobility Transistors)，这种高电子迁移率的晶体管用
GaN的欧姆接触实验
GaN材料由于其所具有的优良光电性能,而成为固态照明、数字处理、光电器件、功率器件等半导体材料与器件领域的研究热点。金属与半导体接触可以形成肖特基接触，也可以形成非整流的接触，即欧姆接触。欧姆接触不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。室温下n-GaN的电子亲和势为
