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一、STM32G031K8U6TR 主流微控制器IC MCU 32BIT 64KB FLASH 32UFQFPNSTM32G031K8U6TR主流微控制器基于高性能的 Arm® Cortex®-M0+ 32 位 RISC 内核，工作频率高达
产品描述：SEMPER™ NOR FLASH闪存系列是英飞凌高性能、安全而可靠的 NOR FLASH解决方案。 它集成了适用于汽车、工业、通信等广泛应用的关键安全功能。 凭借 SEMPER™ NOR FLASH闪存，英飞凌推出了业界首款符合
一、STM8S105S4T6CIC MCU 8BIT 16KB FLASH 44LQFPSTM8S105S4T6C Access Line 8位微控制器提供16KB 闪存程序存储器，以及集成的真数据EEPROM。STM8S105x4/6 A
在单片机芯片上，如果不考虑出厂固化的ROM空间的话，通常开发者能接触到的存储空间主要分两种：掉电可保存数据的片内FLASH和掉电不可保存数据的片内RAM。片内RAM（通常理解为内存）的访问速度比较快，可以按照变量地址随机访问，但断电后数据丢失。片内FLASH（通常理解为硬盘）所保存的内容比较固定，主
NAND闪存
NAND闪存是一种电压原件，靠其内存电压来存储数据。市场上主流的掉电还能保存数据的存储芯片主要有，EEPROM，NOR FLASH, NAND FLASH，EMMC, UFS。 闪存的内部存储结构是金属-氧化层-半导体-场效晶体管(MOSFET)，里面有一个浮置栅极(Floating Gate)
1、ATSAME54P20A-CTU（SAM E5x）IC MCU 32BIT 1MB FLASH 120TFBGASAM E5x 32位Arm® Cortex®-M4F微控制器 (MCU) 采用带浮点单元 (FPU) 的32位Arm Co
dsPIC33CH系列数字信号控制器DSPIC33CH128MP503-I/M5 工作温度 -40°C 至 85°CDSPIC33CH128MP503-H/M5 双核 CAN, 36-Pin 128KB FLASHDSPIC33CH128M
在现场可编程门阵列（FPGA）的程序开发过程中，程序烧写是不可或缺的重要环节，然而在该环节经常听见JTAG和FLASH，在某些情况下，FPGA的程序需要通过这两个方式进行双重烧写。1、FPGA程序烧写FPGA程序烧写是指将开发者编写的硬件描
HBM2E FLASHbolt 是先进的内存包产品，提供卓越的带宽功能和下一级能效，所有这些都采用紧凑、易于使用的格式。HBM2E FLASHbolt 是一款第三代 16GB HBM2E 产品。它提供更高级别的规格，通过垂直堆叠八层 10
QCC3084 / QCC-3084-0-CSP134A-TR-05-0——专为蓝牙立体声耳机设计的下一代入门级FLASH可编程蓝牙音频SoCQCC-3084-0-CSP134A-TR-05-0 是下一代入门级FLASH可编程蓝牙音频SoC
