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在电子电路中，NPN和PNP晶体管是两种常见的双极型（BJT）晶体管，虽然名字过于类似，但在电路中的使用和特性有很大的不同，下面我们来看看如何区分NPN和PNP晶体管，希望对小伙伴们有所帮助。1、构造与极性NPN晶体管： NPN晶体管有三个
IGBT关断过程分析
01前言绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 是双极型晶体管(BJT) 和场效应晶体管(MOSFET) 的复合器件,IGBT将BJT的电导调制效应引入到VDMOS 的高阻漂移区, 大大改善了器件的导通特性, 同时还具有MOSFET栅极输入阻抗高、开关速度快的特点。很多情况，由于对IGBT关断机理认识不清,
IGBT，全称为绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor），是一种由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。它具有强电流、高压应用和快速终端设备
小信号模型的重难点
重点一 三极管的小信号模型小信号模型是用于分析输入信号为低频小信号时，将晶体三极管用线性模型代替，用于分析放大器动态时的技术指标。重点我们掌握H参数小信号模型。它是由BJT输入端口、输出端口的电压及电流关系式建立起来的。01模型的引入于是可
如图，为什么在Vce下降前ic就开始上升了呢？这里就用MOSFET代替BJT了,所以ids= ic , Vds=Vce , Coss也就是Cds代表输出电容。简单来说就是当MOS管一开始导通时输出电容Coss还保持Vds电压 ,随着Ids电流越来越大, Vds电压终于保持不住,开始下降。直到管子完全
带阻三极管（Darlington Transistor）是一种特殊的双极型（BJT）晶体管，由两个晶体管级联而成。它具有高电流放大倍数和低输入电流的特点，常用于需要高电流放大的应用电路中。带阻三极管基本结构带阻三极管由两个晶体管级联而成,其
推挽电路实际上就是两个不同极性晶体管间连接的输出电路。推挽电路采用两个参数相同的功率BJT管或MOSFET管，以推挽方式存在于电路中，每个管子负责各自正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小效率高。推挽式电源由于结构简单，变压器磁芯利用率高，电路工作时
对工程师来说，模拟电路就像攀登高峰一样，从初探其门到精通奥秘，需要经历几个阶段，我认为从新手到大佬需要经历九大阶段，每一级都标志着学习的进度，那么是哪个阶段？1、入门阶段初识PMOS、NMOS、BJT等器件，对电路设计有大致概念，主要依赖教
补充直流分析中BJT三种状态的等效模型 上节课已经学习了晶体三极管的三种工作状态：截止、放大、饱和，学会如何去区分这三种状态，这里稍作归纳和整理。● 截止状态是指晶体管基极没有电流，即IBQ几乎为零，导致ICQ也很小，就像整个晶体管没有导通一样。至于多么小截止，取决于电路的具体要求。一般情况下，认定
