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西安三星扩产!
三星电子高层已决定将其西安 NAND 闪存工厂升级到 236 层 NAND 工艺,并开始大规模扩张。今年 10 月,三星电子获得美国政府无限期豁免,其中国工厂无需特别许可即可进口半导体芯片制作设备,而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。中建钢构消息显示,三星(中国)半导体 12 英寸闪存芯片 M
三星电子高层已决定将其西安 NAND 闪存工厂升级到 236 层 NAND 工艺,并开始大规模扩张。今年 10 月,三星电子获得美国政府无限期豁免,其中国工厂无需特别许可即可进口半导体芯片制作设备,而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。中建钢构消息显示,三星(中国)半导体 12 英寸闪存芯片 M