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ABF载板国产替代加速 材料突破打破日美长期垄断

2026-04-02 16:41
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ABF载板国产替代加速 材料突破打破日美长期垄断

ABF载板国产化进程加速,国内厂商实现材料技术重大突破。2026年,生益科技、深南电路等企业在ABF(Ajinomoto Build-up Film)载板材料领域取得重要进展,打破日本味之素、美国杜邦等企业的长期垄断,国产替代率从5%提升至20%。

ABF载板是高端芯片封装的关键材料

ABF载板是高端CPU、GPU、AI芯片封装的核心材料,相比传统的BT树脂载板,具有高密度互连、低介电损耗、优异的散热性能等优势,是英伟达、AMD、Intel等企业高端芯片的首选封装方案。

随着AI芯片向更高集成度、更高算力方向发展,ABF载板需求爆发式增长。英伟达Rubin架构、AMD MI400系列芯片均采用ABF载板封装,推动市场规模从2025年的45亿美元增长至2026年的60亿美元,增速达33%。

日本味之素垄断市场90%以上份额

长期以来,ABF材料市场被日本味之素公司垄断,市场份额超过90%,形成绝对优势。味之素凭借其在ABF材料领域的深厚技术积累和专利壁垒,构建起强大的护城河。

ABF材料技术壁垒极高,主要体现在三个方面:

材料配方:ABF材料采用改性聚酰亚胺树脂,需要精确控制分子结构、固化特性、热膨胀系数等参数,配方研发需要10年以上时间。

专利壁垒:味之素拥有超过2000项ABF相关专利,从材料配方到制造工艺形成全方位专利保护,后进入者难以绕开。

工艺积累:ABF载板制造涉及涂布、曝光、显影、电镀等多道精密工序,需要长期工艺积累,良率控制难度极大。

IC载板显微结构

图:ABF载板显微结构,高密度互连电路支撑高端芯片封装

国内厂商实现技术突破

面对味之素的垄断,国内厂商持续投入研发,2026年实现重大技术突破:

生益科技:公司自主研发的ABF材料"生益芯"通过行业验证,介电常数(Dk)3.2@10GHz,介质损耗(Df)0.0035@10GHz,热膨胀系数(CTE)12ppm/℃,达到国际先进水平。公司规划2026年ABF材料产能50万张/月,2027年扩张至100万张/月。

深南电路:公司ABF载板产品通过华为、中兴等客户认证,线宽线距8/8μm,层数达12层,良率达到85%,接近日本厂商水平。公司深圳二期项目投资30亿元,专门用于ABF载板扩产。

兴森科技:公司掌握ABF载板的全套工艺技术,从ABF材料制备到载板制造形成完整产业链,是国内少有的全产业链厂商。公司广州基地ABF载板月产能达10万张,计划2027年扩张至20万张。

上游材料产业链协同发展

ABF载板国产化离不开上游材料产业链的支持:

聚酰亚胺树脂:康得新、东材科技等企业开发出改性聚酰亚胺树脂,性能达到日本味之素同类产品水平,成本降低20%。

增强材料:中材科技、光威复材等企业开发出低介电、低膨胀的增强材料,为ABF载板提供关键支撑。

设备制造:大族数控、东威科技等企业开发出ABF载板专用设备,包括激光钻孔机、VCP电镀线等,设备国产化率从20%提升至50%。

市场前景与竞争格局

行业数据显示,2026年全球ABF载板市场规模达60亿美元,其中国内需求15亿美元。随着国内厂商的崛起,国产替代率将从当前的5%提升至2028年的40%,市场规模将突破6亿美元。

虽然国产替代进程加速,但短期内仍面临挑战:

产能缺口:国内ABF载板产能仅占全球5%,而需求占比达25%,供需缺口巨大,需要持续扩产。

良率差距:国内厂商良率约80%,而日本味之素良率超过95%,良率差距导致成本劣势明显。

客户认证:高端芯片客户对ABF载板要求极高,认证周期长达1-2年,国内厂商需要加快客户导入。

政策支持加速国产替代

国家出台多项政策支持ABF载板国产化:

产业政策:"十四五"规划将ABF载板列为关键电子材料重点发展方向,提供专项资金支持。

税收优惠:对ABF载板研发和生产实施15%的优惠税率,鼓励企业加大研发投入。

人才政策:引进海外高端人才,培养本土技术团队,为ABF载板国产化提供人才支撑。

未来发展趋势

展望未来,ABF载板将向更高密度、更高性能方向发展:

线宽线距:2027年将缩至5μm以下,2030年突破3μm,进入纳米级制造。

层数提升:2027年达到15层,2030年突破20层,层数密度持续提升。

集成化:ABF载板与PCB、Chiplet等技术融合,构建完整的芯片封装生态。

总体而言,ABF载板国产化进程加速,国内厂商在材料技术、制造工艺等领域取得重要突破。虽然短期内仍面临产能、良率、客户认证等挑战,但长期来看,国产替代是大势所趋。建议重点关注生益科技、深南电路、兴森科技等具备全产业链优势的龙头企业。


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